[發明專利]顯示裝置和電子設備

有效

• 申請號: 201010000312.4
• 申請日: 2010-01-08
• 公開（公告）號: CN101794550A
• 公開（公告）日: 2010-08-04
• 發明（設計）人: 淺野慎;飯田幸人
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: G09G3/32
• 分類號: G09G3/32;H01L27/32
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

相關申請的引用

本發明包含于2009年1月9日向日本專利局提交的日本優先 權專利申請JP?2009-003201中所披露的相關主題，其全部內容結合 于此作為參考。

技術領域

本發明涉及顯示裝置和電子設備，更具體地，本發明涉及通過 將包括電光元件的像素設置成矩陣形式而形成的平面型(平板型) 顯示裝置和使用該顯示裝置的電子設備。

背景技術

近來，在執行圖像顯示的顯示裝置領域中，通過將包括發光元 件的像素(像素電路)設置成矩陣形式而形成的平面型顯示裝置已 經得到迅速普及。作為平面型顯示裝置，已經開發并生產銷售利用 有機EL(電致發光)元件的有機EL顯示裝置，這些有機EL元件 利用(例如)對有機薄膜施加電場時的發光現象。

有機EL顯示裝置具有以下特征。有機EL元件可以通過施加 10V以下的電壓來驅動，因此具有低功耗。另外，由于有機EL元 件為自發光元件，所以有機EL顯示器不需要液晶顯示裝置可能必 需的光源(背光)。另外，有機EL元件的響應速度非常高(具有幾 微秒的響應時間)，因此，在顯示運動畫面時不出現殘留影像。

與液晶顯示裝置類似，可以使用簡單(無源)矩陣型或有源矩 陣型作為有機EL顯示裝置的驅動方法。近來，已經積極開發出有 源矩陣型顯示裝置，其中在像素電路中設置諸如絕緣柵型場效應晶 體管(通常為TFT(薄膜晶體管))的有源元件。

通常已知，有機EL元件的I-V特性(電流-電壓特性)隨時間 流逝劣化(所謂的經時劣化)。另外，驅動晶體管的閾值電壓Vth 或構成該驅動晶體管的溝道的半導體薄膜的遷移率μ(在下文中， 描述為“驅動晶體管的遷移率”)隨時間改變或者可能由于制造處 理中的偏差造成對于每個像素不同。

因此，為了將有機EL元件的發光亮度維持恒定而不受上述因 素的影響，已經使用在每個像素電路中包括用于有機EL元件中的 特性變化的補償功能和校正功能的配置，該校正功能包括用于驅動 晶體管的閾值電壓Vth的變化的校正功能(下文中，描述為“閾值 校正”)或用于驅動晶體管的遷移率μ的變化的校正功能(例如， 參見JP-A-2006-133542)。

發明內容

在此，在現有技術的像素布置中，設置像素，使得TFT布置區 域根據每個像素電路的尺寸(常數)而不對稱。另一方面，以恒定 間距設置與R(紅色)、G(綠色)和B(藍色)中每個顏色相對應 的像素。因此，當特定像素的構成元件的尺寸比其他像素的構成元 件的尺寸大以增加其布置密度時，具有高布置密度的一部分構成元 件設置在具有低布置密度的像素的空間中。在此情況下，在其他像 素的驅動晶體管的源極與特定像素的輔助電容器的上電極之間產 生寄生電容。因此，存在基準電位受寄生電容影響以致降低亮度的 問題。

因此，需要提供用于防止由于相鄰像素中的一個像素的輔助電 容器的電極與另一個像素的電極之間形成的寄生電容導致的亮度 改變的技術。

根據本發明的一個實施方式，提供了一種顯示裝置，包括：像 素陣列單元，其具有以矩陣形設置在基板上的、包括電路構造的像 素，在該電路構造中電光元件的第一電極與驅動晶體管的源極連接 在一起，驅動晶體管的柵極與寫入晶體管的源極或漏極連接在一 起，保持電容器連接于驅動晶體管的柵極與源極之間，且輔助電容 器連接于電光元件的第一電極與第二電極之間。從相鄰像素中一個 像素至另一像素的區域設置該一個像素的輔助電容器，且輔助電容 器設置于電光元件側的電極與電光元件的第二電極導通。本發明的 實施方式也提供一種具有設置于主體殼中的上述顯示裝置的電子 設備。

在本發明的上述實施方式中，一個像素的輔助電容器設置為從 相鄰像素中的一個像素到另一像素的區域而設置，且輔助電容器設 置于電光元件側的電極與電光元件的第二電極導通。換言之，輔助 電容器設置于上側的電極具有陰極電位，且具有陰極電位的電極插 入另一像素的陽極與該一個像素的輔助電容器具有陽極電位的電 極之間。具有陰極電位的電極表現出屏蔽作用(shield?effect)。