[發明專利]用于減小烴的溴指數的方法

有效

• 申請號: 200980163165.8
• 申請日: 2009-12-24
• 公開（公告）號: CN102712853A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 孔吉·蘇里耶;蘇拉查特·沙洛通;納卡林·蒙空斯里;維龍·丹他帕尼查孔
• 申請（專利權）人: SCG化學有限公司
• 主分類號: C10G25/03
• 分類號: C10G25/03;B01J29/90;B01J35/10;B01J38/04;C07C7/13
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 李丙林;張英

1.一種用于減小烴給料的溴指數（BI）的方法，所述方法包括在吸附工藝中使所述烴給料與包括孔徑約至的沸石的吸附劑接觸，以減小所述烴給料的溴指數（BI）。

2.根據權利要求1所述的方法，進一步包括使所述吸附劑與基本上惰性的氣體接觸。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述基本上惰性的氣體是至少約70%體積的氮氣，并且與基本上惰性的氣體接觸促進或實現從其中去除吸附在所述沸石的孔隙中的污染物，所述污染物來自所述烴給料。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，從所述沸石的孔隙中去除所述污染物促進或實現所述沸石的再生。

5.根據權利要求3所述的方法，其中，所述基本上惰性的氣體是在約150℃至300℃之間的溫度下。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，所述基本上惰性的氣體是在約190℃至200℃之間的溫度下。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，所述沸石具有約至之間的孔徑。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，所述沸石包括MFI、MEL、MRE、MTW、EUO、MTT、MFS、AEL、AFP、HEU、FER、TON、和它們的任何組合中的至少一種沸石結構類型。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，所述沸石包括至少一種MFI的沸石結構類型。

10.根據權利要求7所述的方法，其中，所述沸石具有約1和150之間的Si/Al。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，所述沸石具有2至100之間的Si/Al。

12.根據權利要求1所述的方法，其中，在約25℃至100℃之間的溫度下進行所述吸附工藝。

13.根據權利要求12所述的方法，其中，在約25℃至60℃之間的溫度下進行所述吸附工藝。

14.根據權利要求12所述的方法，其中，在約1巴至50巴之間的壓力下進行所述吸附工藝。

15.根據權利要求14所述的方法，其中，在約20巴至40巴之間的壓力下進行所述吸附工藝。

16.根據權利要求14所述的方法，其中，在約0.01hr^-1至200hr^-1之間的重量時空速度（WHSV）下進行所述吸附工藝。

17.根據權利要求16所述的方法，其中，所述烴給料是芳烴給料，且所述污染物包括不飽和烴。

18.根據權利要求17所述的方法，其中，芳烴給料的溴指數（BI）的減小是在約50%至100%之間。

19.根據權利要求17所述的方法，進一步包括，在所述吸附工藝之后，處理所述芳烴給料以制備所述芳烴給料的衍生物。

20.一種用于減小芳烴的溴指數（BI）的方法，所述方法包括：

提供吸附劑，所述吸附劑包括沸石，所述沸石包括具有約至之間的孔徑的孔隙；

使芳烴給料接觸所述沸石，所述芳烴給料包括不飽和烴；

在吸附工藝中，在所述沸石的孔隙內吸附至少部分的所述不飽和烴；以及

使惰性氣體接觸所述沸石，

其中，所述惰性氣體促進或實現從其中去除吸附在所述沸石的孔隙中的不飽和烴，從而促進或實現所述沸石的再生。

21.根據權利要求20所述的方法，其中，在約25℃至100℃之間的溫度下將至少部分的所述不飽和烴吸附在所述沸石的孔隙內。

22.根據權利要求21所述的方法，其中，在約25℃至60℃之間的溫度下將至少部分的所述不飽和烴吸附在所述沸石的孔隙內。

23.根據權利要求20所述的方法，其中，在約20巴至40巴之間的壓力下和在約0.01hr^-1至200hr^-1之間的重量時空速度（WHSV）下將至少部分的所述不飽和烴吸附在所述沸石的孔隙內。