[發明專利]非易失性半導體存儲裝置及其刪除方法

有效

• 申請號: 200980162624.0
• 申請日: 2009-11-26
• 公開（公告）號: CN102640282A
• 公開（公告）日: 2012-08-15
• 發明（設計）人: 鳥井智史
• 申請（專利權）人: 富士通半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247;G11C16/02;G11C16/06;H01L27/10;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 聶寧樂;向勇

1.一種非易失性半導體存儲裝置，其特征在于，

具有：

存儲單元陣列，由具有存儲單元晶體管的多個存儲單元排列為矩陣狀而成，

多個第一位線，對存在于同一列的多個所述存儲單元的漏極側進行共通連接，

多個字線，對存在于同一行的多個所述存儲單元晶體管的控制柵進行共通連接，

列譯碼器，與多個第二位線相連接，用于控制所述多個第二位線的電位，

行譯碼器，與所述多個字線相連接，用于控制所述多個字線的電位，

多個第一晶體管，分別設在所述第一位線和所述第二位線之間，所述第一晶體管的源極與所述第一位線電連接，所述第一晶體管的漏極經由所述第二位線而與所述列譯碼器電連接，

第一控制部，控制所述多個第一晶體管的柵極的電位；

所述存儲單元晶體管，形成在第一阱上；

所述第一晶體管，形成在與所述第一阱電性分離的第二阱上；

還具有：

第一電壓施加部，對所述第一阱施加電壓，

第二電壓施加部，對所述第二阱施加電壓；

所述第一晶體管的柵絕緣膜的膜厚度，比第二晶體管的柵絕緣膜的膜厚度薄，所述第二晶體管設在所述行譯碼器內并且與所述字線相連接。

2.如權利要求1所述的非易失性半導體存儲裝置，其特征在于，

還具有第三晶體管，該第三晶體管設在所述第一晶體管和所述列譯碼器之間，所述第三晶體管的源極與所述第一晶體管的所述漏極電連接，所述第三晶體管的漏極與所述列譯碼器電連接。

3.如權利要求2所述的非易失性半導體存儲裝置，其特征在于，

所述第三晶體管，形成在與所述第一阱以及所述第二阱電性分離的第三阱上，

還具有：

第三電壓施加部，對所述第三阱施加第三電壓，

第二控制部，控制所述第三晶體管的柵極的電位。

4.如權利要求3所述的非易失性半導體存儲裝置，其特征在于，

所述第三晶體管的柵絕緣膜的膜厚度，比所述第一晶體管的所述柵絕緣膜的膜厚度薄。

5.如權利要求1～4中任意一項所述的非易失性半導體存儲裝置，其特征在于，

將所述第一阱設定為第一電位，將所述第一晶體管的柵電極設定為比所述第一電位低的第二電位，將所述第二阱設定為比所述第一電位低的第三電位，來刪除已寫入所述存儲單元的信息。

6.如權利要求3或4所述的非易失性半導體存儲裝置，其特征在于，

將所述第一阱設定為第一電位，將所述第一晶體管的柵電極設定為比所述第一電位低的第二電位，將所述第二阱設定為比所述第一電位低的第三電位，將所述第三晶體管的柵電極設定為比所述第三電位低的第四電位，將所述第三阱設定為比所述第三電位低的第五電位，來刪除已寫入所述存儲單元的信息。

7.如權利要求1～4中任意一項所述的非易失性半導體存儲裝置，其特征在于，

所述存儲單元晶體管，具有隔著溝道絕緣膜而形成在所述第一阱上的浮柵和隔著第一絕緣膜而形成在所述浮柵上的控制柵，

所述第一晶體管的所述柵絕緣膜，由與所述溝道絕緣膜相同的絕緣膜構成，

所述第一晶體管的柵電極，由與所述浮柵相同的導電膜構成，

所述第一晶體管，還具有隔著第二絕緣膜而形成在所述柵電極上的導電層，

所述第一晶體管的所述第二絕緣膜，由與所述存儲單元晶體管的所述第一絕緣膜相同的絕緣膜構成，

所述第一晶體管的所述導電層，由與所述存儲單元晶體管的所述控制柵相同的導電膜構成。

8.如權利要求1～3中任意一項所述的非易失性半導體存儲裝置，其特征在于，

所述第一晶體管的耐壓性，比在刪除已寫入所述存儲單元的信息時對所述第一阱施加的電壓低。

9.如權利要求1～8中任意一項所述的非易失性半導體存儲裝置，其特征在于，

所述存儲單元陣列被分割為多個區，

所述第一晶體管是用于對所述區進行選擇的區選擇晶體管。