[發明專利]固態圖像拾取器件及其制造方法

有效

• 申請號: 200980161788.1
• 申請日: 2009-10-09
• 公開（公告）號: CN102549748A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 山下雄一郎;小林昌弘;大貫裕介
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 卜榮麗

1.一種包括多個像素的固態圖像拾取器件，所述多個像素中的每個包括：

光電轉換部分，其被構造為根據入射光產生電荷；

電荷保持部分，其被構造為包括第一傳導類型第一半導體區，所述第一傳導類型第一半導體區將由所述光電轉換部分產生的電荷保持在與所述光電轉換部分不同的部分中；和

傳輸部分，其被構造為包括傳輸柵電極，所述傳輸柵電極控制所述電荷保持部分與感測節點之間的電勢，

其中，所述電荷保持部分包括控制電極，所述控制電極通過絕緣膜設置在所述第一半導體區上方，

其中，第二傳導類型第二半導體區設置在所述控制電極與所述傳輸柵電極之間的半導體區的表面上，所述第二半導體區具有比所述第一半導體區的雜質濃度高的雜質濃度，

其中，第一傳導類型第三半導體區設置在所述第二半導體區下面、從所述電荷保持部分延伸到所述感測節點的電荷路徑中，并且

其中，所述第三半導體區的雜質濃度比所述第一半導體區的雜質濃度高。

2.根據權利要求1所述的固態圖像拾取器件，其中，第二傳導類型第四半導體區設置在所述第一半導體區下面，以便與所述第一半導體區一起形成PN結。

3.根據權利要求2所述的固態圖像拾取器件，其中，所述感測節點包括浮置擴散，并且其中，第二傳導類型第五半導體區設置在比所述第四半導體區深的位置處，所述第五半導體區在所述第四半導體區、所述傳輸柵電極和所述浮置擴散的至少一部分下面延伸。

4.根據權利要求3所述的固態圖像拾取器件，其中，所述第五半導體區被構造為包括在不同深度處的多個第二傳導類型半導體區。

5.根據權利要求4所述的固態圖像拾取器件，

其中，在所述每個像素中，與所述第二半導體區的光電轉換部分側的端部相比，所述第五半導體區的光電轉換部分側的端部在遠離所述光電轉換部分的位置處，并且

其中，構成所述光電轉換部分的一部分的第一傳導類型半導體區設置在所述第二半導體區的至少一部分下面。

6.根據權利要求1至5中的任何一個所述的固態圖像拾取器件，其中，在所述光電轉換部分與所述電荷保持部分之間延伸的電荷路徑是埋入溝道。

7.一種用于制造根據權利要求1至6的固態圖像拾取器件的方法，其中，相對于所述控制電極和所述傳輸柵電極以自對準的方式，使用相同掩模來形成所述第二半導體區和所述第三半導體區。