[發明專利]薄膜晶體管

無效

• 申請號: 200980161640.8
• 申請日: 2009-09-30
• 公開（公告）號: CN102549757A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 佐藤步;云見日出也;林享;渡邊智大
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 李帆

1.薄膜晶體管，包括氧化物半導體層和經設置以與該氧化物半導體層接觸的柵極絕緣層，其中該氧化物半導體層含有氫原子并且包括至少兩個作為該氧化物半導體的活性層發揮功能并且在層厚度方向上平均氫濃度不同的區域；并且從柵極絕緣層側開始將作為該氧化物半導體的活性層發揮功能的區域依次定義為第一區域和第二區域時，該第一區域的平均氫濃度低于該第二區域的平均氫濃度。

2.根據權利要求1的薄膜晶體管，其中該第一區域和該第二區域具有5nm～100nm的厚度；并且該氧化物半導體層具有10nm～200nm的整體厚度。

3.根據權利要求1或2的薄膜晶體管，其中該第一區域的平均氫濃度為1.0×10¹⁸原子cm^-3～1.0×10²¹原子cm^-3。

4.根據權利要求1-3的任一項的薄膜晶體管，其中該第二區域的平均氫濃度為1.0×10¹⁹原子cm^-3～1.0×10²²原子cm^-3。

5.根據權利要求1-4的任一項的薄膜晶體管，其中該第一區域的平均電阻率為1.0×10⁰Ωcm～1.0×10⁶Ωcm。

6.根據權利要求1-5的任一項的薄膜晶體管，其中該第二區域的平均電阻率為1.0×10²Ωcm～1.0×10⁹Ωcm。

7.根據權利要求1-6的任一項的薄膜晶體管，其中該氧化物半導體層中含有的氫以羥基或水分子的形式存在。

8.根據權利要求1-7的任一項的薄膜晶體管，其中該氧化物半導體層是含有選自In、Ga、Zn和Sn中的至少一種元素的無定形氧化物半導體層。

9.薄膜晶體管的制備方法，該薄膜晶體管包括氧化物半導體層和經設置以與該氧化物半導體層接觸的柵極絕緣層，其中該氧化物半導體層至少包括，從該柵極絕緣層側開始，在不同的濺射條件下形成的第一區域和第二區域；并且用于形成該第一區域的功率高于用于形成該第二區域的功率。