[發(fā)明專利]具有本征整流器的憶阻結

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980161379.1
• 申請日: 2009-07-10
• 公開（公告）號: CN102484129A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發(fā)明（設計）人: J.楊;J.P.斯特拉錢;M.D.皮克特
• 申請（專利權）人: 惠普發(fā)展公司;有限責任合伙企業(yè)
• 主分類號: H01L29/40
• 分類號: H01L29/40;H01L27/115
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 段俊峰;盧江

1.一種具有本征整流的憶阻結（400），包括：

第一電極（102）；

第二電極（104）；

憶阻區(qū)（106），其位于所述第一電極和第二電極之間，并且被配置成經(jīng)由在所述第一電極和第二電極之間施加的開關電壓（116）在兩種激活狀態(tài)之間切換，并且其中，通過在所述第一電極和第二電極之間施加讀取電壓，能夠確定所述激活狀態(tài)；以及

整流器區(qū)，其被設置在所述第一電極和所述憶阻區(qū)之間的界面（420）處，并且包括溫度響應轉換材料層（402），所述溫度響應轉換材料在開關溫度處或之上是基本導電的并且在所述開關溫度之下是基本電阻性的，

其中，施加所述開關電壓導致所述溫度響應轉換材料達到所述開關溫度。

2.根據(jù)權利要求1所述的憶阻結，其中，所述溫度響應轉換材料是釩、錳、鉬、鈦和鐵中的至少之一的氧化物。

3.根據(jù)權利要求2所述的憶阻結，其中，所述溫度響應轉換材料是二氧化釩。

4.根據(jù)權利要求1所述的憶阻結，其中，所述憶阻區(qū)（106）包括包含移動摻雜劑（110）的憶阻材料。

5.根據(jù)權利要求4所述的憶阻結，其中，從氧化鈦、二氧化鉿、氧化鋯、鈦酸鍶和氮化鎵中選擇所述半導體材料。

6.根據(jù)權利要求4所述的憶阻結，其中，從由帶電空穴、陰離子、陽離子或它們的組合所組成的組中選擇所述移動摻雜劑。

7.根據(jù)權利要求1所述的憶阻結，其中，所述開關電壓具有從大約1.0V至大約2.5V的幅值。

8.根據(jù)權利要求1所述的憶阻結，其中，所述讀取電壓具有從大約0.01V至大約0.8V的幅值。

9.一種憶阻結陣列，包括：

底線層（202），所述底線被布置成彼此基本平行；

頂線層（206），所述頂線被布置成與所述底線基本垂直，并且在多個交叉點處覆蓋所述底線，以及

根據(jù)權利要求1所述的設備（400），其位于每個交叉點處，從而所述第一電極被電連接至所述底線中的一個，并且所述第二電極被電連接至所述頂線中的一個。

10.一種制造憶阻結（400）的方法，包括：

將第一電極（102）沉積到基板（108）上；

將溫度響應轉換材料的層（402）沉積到所述第一電極上，所述溫度響應轉換材料在開關溫度處或之上能夠呈現(xiàn)導電狀態(tài)并且在低于所述開關溫度時呈現(xiàn)基本電阻性的狀態(tài)；

將憶阻材料層沉積到所述溫度響應轉換材料層上，以產(chǎn)生憶阻區(qū)（106）；以及

將第二電極（104）沉積到所述憶阻材料層上。

11.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中，所述溫度響應轉換材料是釩、錳、鉬、鈦和鐵中的至少一個的氧化物。

12.根據(jù)權利要求11所述的方法，其中，所述溫度響應轉換材料是二氧化釩。

13.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中，所述憶阻區(qū)包括含有移動摻雜劑（110）的憶阻材料。

14.根據(jù)權利要求13所述的方法，其中，從氧化鈦、二氧化鉿、氧化鋯、鈦酸鍶和氮化鎵中選擇所述半導體材料。

15.根據(jù)權利要求13所述的方法，其中，從由帶電空穴、陰離子、陽離子或它們的組合所組成的組中選擇所述移動摻雜劑。