[發明專利]IC封裝件及其制造方法

有效

• 申請號: 200980161204.0
• 申請日: 2009-11-26
• 公開（公告）號: CN102576701A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 李同樂
• 申請（專利權）人: 李同樂
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 蔣駿;李家麟

1.一種形成IC封裝件的方法，該方法包括：

提供具有第一值的厚度的金屬引線框架；

圖案化金屬引線框架的頂部表面以在其中形成凹進處，該頂部表面凹進處限定了多個接合區域；

有選擇地電鍍頂部表面；

安裝IC芯片到頂部表面上；

將IC芯片電耦合到多個接合區域；

在封裝混合物中封裝IC芯片；

通過從金屬引線框架的底部表面移除一層金屬來將金屬引線框架的厚度減小到第二值；

有選擇地電鍍金屬引線框架的底部表面以在其上形成圖案，該圖案限定了金屬引線框架要被蝕刻的部分；

有選擇地蝕刻金屬引線框架的該部分以在其底部表面中形成凹進處，該底部表面凹進處相對于引線框架的底部表面限定了具有側壁的多個接觸墊，該引線框架的底部表面在其中具有蝕刻底切；以及

其中通過將金屬引線框架的厚度減小到第二量，來減小該底切的深度。

2.權利要求1的方法，其中有選擇地蝕刻形成了在多個接觸墊的底部表面中的多個凹痕。

3.權利要求2的方法，其中有選擇地蝕刻形成了至少一個環形通道，該至少一個環形通道環繞多個凹痕中的至少一個凹痕。

4.權利要求2的方法，以及進一步包括：

施加導電可焊接材料到多個凹痕。

5.權利要求1的方法，其中金屬引線框架的厚度的第一值小于大約5mil。

6.權利要求1的方法，其中第一值和第二值之間的差大于約1mil。

7.一種圖案化集成電路（IC）封裝件的底部表面的方法，該集成電路封裝件的類型為具有安裝到金屬引線框架并電耦合到置于金屬引線框架頂部表面上的接合區域的IC芯片，該IC芯片被封裝在封裝混合物中，該方法包括：

從金屬引線框架的整個底部表面實質上移除一層金屬以暴露其表面；

施加抗蝕刻劑材料到金屬引線框架的暴露表面以在其上形成圖案，該圖案限定了金屬引線框架要被蝕刻的部分；

有選擇地蝕刻由該圖案限定的金屬引線框架的該部分以電隔離多個接觸墊，并在多個接觸墊的底部表面中形成凹痕，該多個接觸墊具有側壁，該側壁在其中具有蝕刻底切；以及

其中通過從金屬引線框架的整個底部表面實質上移除該層金屬，來減小側壁中的蝕刻底切的深度。

8.一種集成電路（IC）封裝件，包括：

金屬引線框架，具有在其頂部表面和底部表面上的凹進處的圖案，在頂部表面上的凹進處限定了多個接合區域，以及在其底部表面上的凹進處限定了電耦合到接合區域的多個接觸墊，每個接觸墊具有蝕刻到其底部表面中的凹痕；

IC芯片，安裝到金屬引線框架并電耦合到接合區域，該IC芯片被封裝在封裝混合物中；以及

導電可焊接材料，填充每個接觸墊的凹痕。

9.權利要求8的IC封裝件，其中多個接觸墊中的至少一個接觸墊具有蝕刻到其底部表面中并且環繞凹痕的環形通道。

10.權利要求8的IC封裝件，其中至少一個接合區域的表面面積小于與其電耦合的接觸墊的表面面積。

11.權利要求的IC封裝件，其中蝕刻到至少一個接觸墊中的凹痕一般是拋物線形狀的凹面。

12.一種圖案化集成電路（IC）封裝件的底部表面的方法，該集成電路封裝件的類型為具有安裝到金屬引線框架并電耦合到置于金屬引線框架頂部表面上的接合區域的IC芯片，該IC芯片被封裝在封裝混合物中，該方法包括：

施加抗蝕刻劑層到IC封裝件的金屬引線框架的底部表面以在其上形成圖案，該圖案限定了金屬引線框架要被蝕刻的部分；

有選擇地蝕刻由該圖案限定的金屬引線框架的該部分以電隔離多個接觸墊并在多個接觸墊的底部表面中形成凹痕；以及

施加導電可焊接材料到多個接觸墊的底部表面。

13.權利要求12的方法，以及進一步包括：

在施加抗蝕刻劑層到金屬引線框架之前，在金屬引線框架的整個底部表面上實質上移除一層金屬引線框架。

14.權利要求12的方法，其中施加抗蝕刻劑層包括施加金屬鍍覆。

15.權利要求12的方法，其中施加抗蝕刻劑層包括施加抗蝕刻劑層到金屬引線框架的頂部表面和底部表面兩者。