[發(fā)明專利]太陽(yáng)能電池單元及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200980161091.4
• 申請(qǐng)日: 2009-08-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102484148A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-05-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 唐木田昇市
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三菱電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L31/04
• 分類號(hào): H01L31/04
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 金春實(shí)

1.一種太陽(yáng)能電池單元的制造方法，該太陽(yáng)能電池單元在半導(dǎo)體基板的一面?zhèn)仍O(shè)置有具有柵電極的受光面?zhèn)入姌O，該太陽(yáng)能電池單元的制造方法的特征在于，包括：

第1工序，在第1導(dǎo)電類型的所述半導(dǎo)體基板的一面?zhèn)龋纬蓴U(kuò)散了第2導(dǎo)電類型的雜質(zhì)元素的雜質(zhì)擴(kuò)散層；

第2工序，在所述雜質(zhì)擴(kuò)散層的面內(nèi)的多個(gè)測(cè)定點(diǎn)，測(cè)定所述雜質(zhì)擴(kuò)散層的薄膜電阻值；以及

第3工序，與所述測(cè)定出的所述雜質(zhì)擴(kuò)散層的表面的薄膜電阻值對(duì)應(yīng)地，將所述雜質(zhì)擴(kuò)散層的面內(nèi)劃分為多個(gè)區(qū)域，針對(duì)每個(gè)所述區(qū)域設(shè)定相鄰的所述柵電極彼此之間的距離，在所述雜質(zhì)擴(kuò)散層上形成與所述雜質(zhì)擴(kuò)散層電連接的所述柵電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池單元的制造方法，其特征在于，

作為所述雜質(zhì)擴(kuò)散層的薄膜電阻值，在所述第1工序中形成了所述雜質(zhì)擴(kuò)散層的時(shí)刻，測(cè)定所述雜質(zhì)擴(kuò)散層的表面的薄膜電阻值。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池單元的制造方法，其特征在于，

在所述第1工序與所述第2工序之間，具有去除在所述雜質(zhì)擴(kuò)散層的表面形成的玻璃質(zhì)層的玻璃質(zhì)層去除工序，

作為所述雜質(zhì)擴(kuò)散層的薄膜電阻值，在所述玻璃質(zhì)層去除工序中去除了所述玻璃質(zhì)層的時(shí)刻，測(cè)定所述雜質(zhì)擴(kuò)散層的表面的薄膜電阻值。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池單元的制造方法，其特征在于，

在所述第1工序與所述第2工序之間，具有去除在所述雜質(zhì)擴(kuò)散層的表面形成的玻璃質(zhì)層的玻璃質(zhì)層去除工序和去除所述雜質(zhì)擴(kuò)散層的表面層的表面層去除工序，

作為所述雜質(zhì)擴(kuò)散層的薄膜電阻值，在所述表面層去除工序中去除了所述所述雜質(zhì)擴(kuò)散層的表面層的時(shí)刻，測(cè)定所述雜質(zhì)擴(kuò)散層的表面的薄膜電阻值。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池單元的制造方法，其特征在于，

在所述第3工序中，根據(jù)下述式(1)設(shè)定相鄰的所述柵電極彼此之間的距離，

[式1]

Y＝-0.018×X+3.2±0.3???????····(1)

其中，X是所述雜質(zhì)擴(kuò)散層的表面的薄膜電阻值，單位是Ω/□，

Y是相鄰的柵電極彼此之間的距離，單位是mm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池單元的制造方法，其特征在于，

具有在所述雜質(zhì)擴(kuò)散層上形成反射防止膜的反射防止膜形成工序，

在所述第3工序中，形成貫通所述反射防止膜而與所述雜質(zhì)擴(kuò)散層電連接的所述柵電極。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池單元的制造方法，其特征在于，

所述受光面?zhèn)入姌O具有比所述柵電極寬的匯流電極，并且所述匯流電極的長(zhǎng)度方向和所述柵電極的長(zhǎng)度方向在所述半導(dǎo)體基板的面內(nèi)以大致直角方向交叉，

在所述第3工序中，在所述匯流電極的長(zhǎng)度方向上將所述雜質(zhì)擴(kuò)散層在面內(nèi)劃分為多個(gè)區(qū)域，并且在所述柵電極的長(zhǎng)度方向上將所述雜質(zhì)擴(kuò)散層在面內(nèi)劃分為多個(gè)區(qū)域。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的太陽(yáng)能電池單元的制造方法，其特征在于，

在所述第3工序中，在設(shè)所述匯流電極的根數(shù)為n根的情況下，在所述匯流電極的長(zhǎng)度方向上將所述雜質(zhì)擴(kuò)散層劃分為進(jìn)行了1～2×n等分的所述多個(gè)區(qū)域。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的太陽(yáng)能電池單元的制造方法，其特征在于，

所述匯流電極的根數(shù)是2根以上。

10.一種太陽(yáng)能電池單元，具有：

第1導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體基板；

雜質(zhì)擴(kuò)散層，在所述半導(dǎo)體基板的一面?zhèn)葦U(kuò)散了第2導(dǎo)電類型的雜質(zhì)元素；以及

受光面?zhèn)入姌O，具有柵電極并設(shè)置于所述雜質(zhì)擴(kuò)散層上，

該太陽(yáng)能電池單元的特征在于，

與所述雜質(zhì)擴(kuò)散層的表面的薄膜電阻值對(duì)應(yīng)地，將所述雜質(zhì)擴(kuò)散層劃分為多個(gè)區(qū)域，針對(duì)每個(gè)所述區(qū)域設(shè)定了相鄰的所述柵電極彼此之間的距離。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的太陽(yáng)能電池單元，其特征在于，

根據(jù)下述式(2)，針對(duì)每個(gè)所述區(qū)域，設(shè)定了相鄰的所述柵電極彼此之間的距離，

[式2]

Y＝-0.018×X+3.2±0.3????????····(2)

其中，X是所述雜質(zhì)擴(kuò)散層的表面的薄膜電阻值，單位是Ω/□，

Y是相鄰的柵電極彼此之間的距離，單位是mm。