[發明專利]用于進行拉曼光譜學的納米線集光器

無效

• 申請號: 200980160669.4
• 申請日: 2009-07-30
• 公開（公告）號: CN102483379A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發明（設計）人: 郭輝培;王世元;戴維·A·法塔勒;李晶晶;小林信彥;李志勇
• 申請（專利權）人: 惠普開發有限公司
• 主分類號: G01N21/65
• 分類號: G01N21/65;B82B3/00
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 康泉;羅正云

1.一種用于進行拉曼光譜學的系統(100、400、600、800、900、950)，包括：

對于一系列波長的電磁輻射基本透明的基板(102)；

布置在所述基板的表面上的多個納米線(104、602)，所述納米線對于所述一系列波長的電磁輻射基本透明；以及

布置在每一個所述納米線上的材料，其中所述電磁輻射透射到所述基板內，進入所述納米線中并從所述納米線的末端射出，以產生來自位于所述材料上或靠近所述材料的分子的增強的拉曼散射光。

2.根據權利要求1所述的系統，進一步包括布置在所述基板的與其上布置有所述納米線的表面相反的表面上的反射層(402、802)，其中所述電磁輻射照射到所述系統，使得所述輻射通過其上布置有所述納米線的相同表面射入所述基板，從所述反射層反射回來進入所述納米線中，并從所述納米線的所述末端射出，以產生來自位于所述材料上或靠近所述材料的分子的增強的拉曼散射光。

3.根據權利要求1所述的系統，其中所述納米線進一步包括錐形納米線(104)和柱形納米線(602)中的至少一種。

4.根據權利要求1所述的系統，其中布置在每一個所述納米線上的所述材料進一步包括布置在所述納米線上的納米顆粒(112、610)。

5.根據權利要求1所述的系統，其中布置在每一個所述納米線上的所述材料進一步包括布置在所述納米線的至少一部分上的層(116、614)。

6.根據權利要求1所述的系統，其中布置在每一個所述納米線上的所述材料進一步包括金、銀、銅或另外的用于當由所述電磁輻射照射時形成表面等離子體激元的合適金屬。

7.根據權利要求1所述的系統，其中所述納米線的高度從不到0.1μm到大約6μm之間變化。

8.一種分析物傳感器，包括：

電磁輻射源(1306、1406)，被設計為發出一系列波長的電磁輻射；

用于進行增強拉曼光譜學的系統(1302、1402)，包括：

對于所述一系列波長的電磁輻射基本透明的基板，

布置在所述基板的表面上的多個納米線，所述納米線對于所述一系列波長的電磁輻射基本透明，以及

布置在每一個所述納米線上的材料，其中所述電磁輻射透射到所述基板內，進入所述納米線并從所述納米線的末端射出，以產生來自位于所述材料上或靠近所述材料的分子的增強的拉曼散射光；以及

光電探測器(1304、1404)，被設計為探測所述拉曼散射光。

9.根據權利要求8所述的系統，進一步包括布置在所述基板的與其上布置有所述納米線的表面相反的表面上的反射層(1410)，其中所述電磁輻射照射到所述系統，使得所述輻射通過其上布置有所述納米線的相同表面射入所述基板，從所述反射層反射回來進入所述納米線中，并從所述納米線的所述末端射出，以產生來自位于所述材料上或靠近所述材料的分子的增強的拉曼散射光。

10.根據權利要求8所述的系統，其中所述納米線進一步包括錐形納米線和柱形納米線中的至少一種。

11.根據權利要求8所述的系統，其中布置在每一個所述納米線上的所述材料進一步包括布置在所述納米線上的納米顆粒。

12.根據權利要求8所述的系統，其中布置在每一個所述納米線上的所述材料進一步包括布置在所述納米線的至少一部分上的層。

13.根據權利要求8所述的系統，其中布置在每一個所述納米線上的所述材料進一步包括金、銀、銅或另外的用于形成表面等離子體激元的合適金屬。

14.根據權利要求8所述的系統，其中所述電磁輻射源被設置為對所述納米線和所述基板進行照射，使得所述電磁輻射透過所述基板并從反射層反射回來進入所述納米線中。

15.根據權利要求8所述的系統，其中所述電磁輻射源被設置為對所述基板進行照射，使得所述電磁輻射透過所述基板并進入所述納米線中。