[發明專利]在基板上形成有機材料層的方法有效
| 申請號: | 200980159573.6 | 申請日: | 2009-10-13 |
| 公開(公告)號: | CN102449190A | 公開(公告)日: | 2012-05-09 |
| 發明(設計)人: | C·羅林;J·吉諾 | 申請(專利權)人: | IMEC公司;應用科學研究TNO荷蘭組織;盧萬天主教大學 |
| 主分類號: | C23C16/52 | 分類號: | C23C16/52;C23C16/54;C23C16/455 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 劉佳 |
| 地址: | 比利*** | 國省代碼: | 比利時;BE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基板上 形成 有機 材料 方法 | ||
1.一種用于在連續式沉積系統中的基板上形成具有層厚度的有機材料層的方法,其中,通過注入器的多個開口按預定的沉積率分布把有機材料沉積到到基板上,所述注射器相對于基板而運動,其特征在于,預定的沉積率分布是非恒定沉積分布,所述非恒定沉積分布包括第一沉積率范圍和第二沉積率范圍,所述第一沉積率范圍被設置成按第一預定平均沉積率把有機材料層的至少一個第一單層沉積到基板上,所述第二沉積率范圍被設置成按第二預定平均沉積率把有機材料層的至少一個第二單層沉積到設置在基板上的至少第一單層之上,第一平均沉積率小于第二平均沉積率,并且通過注入器的開口朝著基板注入有機材料的注入過程被控制以實現預定的沉積率分布。
2.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述預定的沉積率分布是由小于0.1納米/秒的第一預定平均沉積率以及大于1納米/秒的第二預定平均沉積率來表征的。
3.如前面權利要求中任何一項所述的方法,其特征在于,所述預定的沉積率分布是不對稱沉積率分布。
4.如權利要求3所述的方法,其特征在于,所述預定的沉積率分布具有上升沿和后沿,其中后沿實質上比上升沿要陡。
5.如前面權利要求中任何一項所述的方法,其特征在于,通過所述注入器的多個開口來提供攜帶有機材料的氣體,并且通過所述注入器的開口來注入有機材料的注入過程是通過控制載氣的氣流來進行控制的。
6.如前面權利要求中任何一項所述的方法,其特征在于,控制通過所述注入器來注入有機材料的注入過程包括:適配所述注入器的多個開口中的至少一部分開口的參數。
7.如權利要求6所述的方法,其特征在于,適配參數包括:適配多個開口中的至少一部分開口的尺寸、形狀、取向、深度和/或位置。
8.如權利要求6-7中任何一項所述的方法,其特征在于,適配參數包括:適配多個開口中的至少一部分開口之間的距離。
9.如權利要求5-8中任何一項所述的方法,其特征在于,控制流向所述基板的氣流包括:適配連續式沉積系統的加工腔室的幾何參數。
10.如權利要求9所述的方法,其特征在于,適配幾何參數包括:適配所述注入器和所述基板之間的距離。
11.如權利要求9-10中任何一項所述的方法,其特征在于,適配幾何參數包括:適配所述基板的表面和所述注入器的表面之間的角度。
12.如權利要求9-11中任何一項所述的方法,其特征在于,適配幾何參數包括:適配泵端口的位置。
13.如權利要求1-12中任何一項所述的方法,其特征在于,所述有機材料是有機半導體材料。
14.如權利要求1-13中任何一項所述的方法在形成有機薄膜晶體管的加工過程中的用途。
15.一種在連續式沉積系統中使用的注入器,其中,所述注入器包括孔的至少第一和第二行,這些行被設置在所述注入器的縱向方向上并且彼此平行,并且孔的第一行要比孔的第二行更接近所述注入器的前沿,所述注入器被配備有控制機構,所述控制機構用于控制根據權利要求1中預定的沉積率分布通過孔的第一和第二行進行注入的注入過程。
16.如權利要求15所述的注入器,其特征在于,所述控制機構包括第一行的孔之間的距離比第二行的孔之間的距離要大。
17.如權利要求15-16中任何一項所述的注入器,其特征在于,所述控制機構包括第一行的孔的尺寸比第二行的孔的尺寸要小。
18.如權利要求15-17中任何一項所述的注入器,其特征在于,所述控制機構包括第一行的孔的深度比第二行的孔的深度要大。
19.一種連續式沉積系統,所述連續式沉積系統根據權利要求1-13中任何一項在基板上形成具有層厚度的有機材料層,所述連續式沉積系統包括如權利要求15-18中任何一項所述的注入器。
20.如權利要求19所述的連續式沉積系統,其特征在于,使所述注入器以可拆卸的方式附加到所述連續式沉積系統。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





