[發明專利]凹凸圖案形成方法

有效

• 申請號: 200980159359.0
• 申請日: 2009-05-20
• 公開（公告）號: CN102428544A
• 公開（公告）日: 2012-04-25
• 發明（設計）人: 有賀智崇;大澤裕一;伊藤順一;黑崎義成;柏田沙織;平岡俊郎;天野實;柳曉志
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;G11B5/84
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 王永紅

1.凹凸圖案形成方法，其特征在于，具備以下工序：

在基材上形成具有凸部的導向圖案的工序；

在所述導向圖案上形成包含層疊有第一層和第二層的層疊結構的形成層的工序；所述第一層包含選自第一金屬元素及類金屬元素中的至少一個元素，所述第二層包含與所述第一金屬元素不同的第二金屬元素，

通過蝕刻所述形成層，僅在所述凸部的側部選擇性地留置所述形成層的工序；

除去所述導向圖案的工序；以及

通過以所留置的所述形成層作為掩膜來蝕刻所述基材，由此在所述基材上形成凹凸圖案的工序。

2.根據權利要求1所述的凹凸圖案形成方法，其特征在于，形成所述形成層的工序具備以下工序：

以覆蓋所述導向圖案的方式形成所述第一層的工序；

以覆蓋所述第一層的方式形成所述第二層的工序。

3.根據權利要求2所述的凹凸圖案形成方法，其特征在于，所述第一層為氧化硅層，所述第二層為氧化鋁層。

4.根據權利要求1所述的凹凸圖案形成方法，其特征在于，形成所述形成層的工序具備以下工序：

以覆蓋所述導向圖案的方式形成包含與所述第二金屬元素相同的金屬元素的第三層的工序；

以覆蓋所述第三層的方式形成所述第一層的工序；

以覆蓋所述第一層的方式形成所述第二層的工序。

5.根據權利要求4所述的凹凸圖案形成方法，其特征在于，所述第一層為氧化硅層，所述第二層為氧化鋁層，所述第三層為氧化鋁層。

6.根據權利要求1所述的凹凸圖案形成方法，其特征在于，形成所述形成層的工序具備以下工序：

以覆蓋所述導向圖案的方式形成包含與所述第一及第二金屬元素不同的金屬元素的第三層的工序；

以覆蓋所述第三層的方式形成所述第一層的工序；

以覆蓋所述第一層的方式形成所述第二層的工序。

7.根據權利要求1所述的凹凸圖案形成方法，其特征在于，所述形成層是通過ALD法形成的。

8.根據權利要求1所述的凹凸圖案形成方法，其特征在于，所述形成層具有多組所述第一層和所述第二層的層疊結構，各組以伴隨遠離所述導向圖案，所述第一層的原子層數減少，所述第二層的原子層數增加的方式構成。