[發明專利]移位寄存器有效
| 申請號： | 200980159346.3 | 申請日： | 2009-12-25 |
| 公開（公告）號： | CN102428521A | 公開（公告）日： | 2012-04-25 |
| 發明（設計）人： | 菊池哲郎;田中信也;山崎周郎;嶋田純也 | 申請（專利權）人： | 夏普株式會社 |
| 主分類號： | G11C19/28 | 分類號： | G11C19/28;G09G3/20;G09G3/36;G11C19/00 |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人： | 龍淳 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 移位寄存器 | ||
1.一種移位寄存器，其特征在于：
其是將單位電路多級連接而構成的移位寄存器，
所述單位電路包括：
輸出晶體管，其設置在時鐘端子與輸出端子之間，根據柵極電位來切換是否使時鐘信號通過；和
一個導通端子與所述輸出晶體管的柵極連接的一個以上的控制晶體管，其中
在所述輸出晶體管為導通狀態、且所述時鐘信號為高電平的時鐘通過期間，所述輸出晶體管的柵極電位比所述時鐘信號的高電平電位高，
在所述控制晶體管中包括與所述輸出晶體管相比溝道長度更長的晶體管。
2.如權利要求1所述的移位寄存器，其特征在于：
在所述控制晶體管中包括：在時鐘通過期間，柵極被提供低電平電位而成為截止狀態，另一個導通端子被施加低電平電位的晶體管，該晶體管的溝道長度比所述輸出晶體管的溝道長度長。
3.如權利要求2所述的移位寄存器，其特征在于：
在所述控制晶體管中包括：在時鐘通過期間，柵極被提供低電平電位而成為截止狀態，另一個導通端子被固定地施加低電平電位的晶體管，該晶體管的溝道長度比所述輸出晶體管的溝道長度長。
4.如權利要求2所述的移位寄存器，其特征在于：
在所述控制晶體管中包括：在時鐘通過期間，柵極被提供低電平電位而成為截止狀態，另一個導通端子被提供在時鐘通過期間為低電平的信號的晶體管，該晶體管的溝道長度比所述輸出晶體管的溝道長度長。
5.如權利要求2所述的移位寄存器，其特征在于：
在所述控制晶體管中包括：在時鐘通過期間，柵極被提供低電平電位而成為截止狀態，另一個導通端子被施加低電平電位的多個晶體管，該多個晶體管的溝道長度均比所述輸出晶體管的溝道長度長。
6.如權利要求1所述的移位寄存器，其特征在于：
在所述控制晶體管中包括與所述輸出晶體管相比溝道長度長0.5μm以上的晶體管。
7.如權利要求1所述的移位寄存器，其特征在于：
所述輸出晶體管的柵極與所述輸出晶體管的所述輸出端子一側的導通端子電容耦合。
8.一種顯示裝置，其特征在于，包括：
呈2維狀配置的多個像素電路；和
包括權利要求1～7中任一項所述的移位寄存器的驅動電路。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于夏普株式會社，未經夏普株式會社許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200980159346.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：植物生長發卡
- 下一篇：一種CsI：Tl和LaBr3：Ce3+疊層閃爍體
