[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 200980159180.5
• 申請日: 2009-12-25
• 公開（公告）號: CN102422397A
• 公開（公告）日: 2012-04-18
• 發明（設計）人: 宮崎富仁;木山誠;堀井拓
• 申請（專利權）人: 住友電氣工業株式會社
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336;H01L21/60;H01L21/822;H01L27/04;H01L29/12;H01L29/47;H01L29/78;H01L29/872
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 孫志湧;穆德駿

1.一種半導體器件，其包括：

半導體層(1，11)，所述半導體層(1，11)包含氮化鎵；以及

電極(2，12)，

其中，所述電極(2，12)包括：電極主體(6)；連接用電極(8)，所述連接用電極(8)包含鋁且形成在相比于所述電極主體(6)距離所述半導體層(1，11)更遠的位置處；以及阻擋層(7)，所述阻擋層(7)形成在所述電極主體(6)和所述連接用電極(8)之間，所述阻擋層(7)包含選自由W、TiW、WN、TiN、Ta和TaN組成的組中的至少一種材料，并且，

所述阻擋層(7)的表面粗糙度RMS為3.0nm或更小。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，

所述電極主體(6)與所述半導體層(1，11)形成肖特基接觸。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述阻擋層(7)具有或更大的厚度。

4.一種制造半導體器件的方法，其包括：

形成包含氮化鎵的半導體層(1，11)的步驟；以及

形成電極(2，12)的步驟；

其中，形成所述電極(2，12)的步驟包括：形成電極主體(6)的步驟、在相比于所述電極主體(6)距離所述半導體層(1，11)更遠的位置處形成包含鋁的連接用電極(8)的步驟、以及在所述電極主體(6)和所述連接用電極(8)之間形成所述阻擋層(7)的步驟，所述阻擋層(7)包含選自由W、TiW、WN、TiN、Ta和TaN組成的組中的至少一種材料，并且，

在形成所述阻擋層(7)的步驟中，在以0.1Pa或更小的環境壓力且施加300W或更大的電力的情況下通過濺射方法來形成所述阻擋層(7)。

5.一種制造半導體器件的方法，其包括：

形成包含氮化鎵的半導體層(1，11)的步驟；以及

形成電極(2，12)的步驟；

其中，形成電極(2，12)的步驟包括：形成電極主體(6)的步驟、在相比于所述電極主體(6)距離所述半導體層(1，11)更遠的位置處形成包含鋁的連接用電極(8)的步驟、以及在所述電極主體(6)和所述連接用電極(8)之間形成阻擋層(7)的步驟，所述阻擋層(7)包含選自由W、TiW、WN、TiN、Ta和TaN組成的組中的至少一種材料，并且，

在形成所述阻擋層(7)的步驟中，在135℃或更高的溫度下加熱所述電極主體(6)的同時在0.1Pa或更小的環境壓力下通過濺射方法來形成所述阻擋層(7)。