[發(fā)明專利]功率用半導(dǎo)體裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200980159009.4 | 申請(qǐng)日: | 2009-04-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102414825A | 公開(公告)日: | 2012-04-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 中田和成 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三菱電機(jī)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L29/78 | 分類號(hào): | H01L29/78;H01L21/3205;H01L21/60;H01L23/52;H01L29/739 |
| 代理公司: | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 閆小龍;王忠忠 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 功率 半導(dǎo)體 裝置 | ||
1.一種功率用半導(dǎo)體裝置,其特征在于,具有:
半導(dǎo)體層(SL);
柵極電極(26),用于對(duì)流過所述半導(dǎo)體層(SL)的電流進(jìn)行控制;
柵極絕緣膜(29),將所述半導(dǎo)體層(SL)以及所述柵極電極(26)彼此電絕緣;
導(dǎo)體部(24),設(shè)置在所述半導(dǎo)體層(SL)上,并且與所述半導(dǎo)體層(SL)電連接;
層間絕緣膜(25),以所述導(dǎo)體部(24)與所述柵極電極(26)電絕緣的方式設(shè)置在所述柵極電極(26)上;
緩沖絕緣膜(23),覆蓋所述導(dǎo)體部(24)以及層間絕緣膜(25)上的一部分區(qū)域,并且由絕緣體構(gòu)成;以及
電極層(21),具有位于所述導(dǎo)體部(24)露出的區(qū)域上的布線部分(21w)和位于所述緩沖絕緣膜(23)上的焊盤部分(21p)。
2.如權(quán)利要求1所述的功率用半導(dǎo)體裝置,其特點(diǎn)在于,
所述柵極電極(26)是溝槽柵極。
3.如權(quán)利要求2所述的功率用半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
在平面圖中與所述溝槽柵極延伸的方向平行的所述緩沖絕緣膜(23)的端部位于所述層間絕緣膜(25)上。
4.如權(quán)利要求1所述的功率用半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
所述緩沖絕緣膜(23)具有所述電極層(21)的所述焊盤部分(21p)的厚度的五分之一以上并且五分之四以下的厚度。
5.如權(quán)利要求1所述的功率用半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
所述緩沖絕緣膜(23)具有所述電極層(21)的面積的二分之一以下的面積。
6.如權(quán)利要求1所述的功率用半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
所述緩沖絕緣膜(23)是TEOS膜、SOG膜、有機(jī)類絕緣膜的任意一種。
7.如權(quán)利要求1所述的功率用半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
還具有與所述電極層(21)的所述焊盤部分(21p)接合的引線(22),
所述焊盤部分(21p)具有所述引線(22)的寬度尺寸以上并且所述引線(22)的寬度尺寸的3倍以下的寬度尺寸。
8.如權(quán)利要求1所述的功率用半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
還具有與所述電極層(21)的所述焊盤部分(21p)接合的引線(22),
所述焊盤部分(21p)具有所述焊盤部分(21p)的與所述引線(22)接合的部分(44)的長(zhǎng)度的3倍以下的長(zhǎng)度。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的





