[發明專利]半導體制造系統中的離子源清潔方法

有效

• 申請號: 200980158194.5
• 申請日: 2009-08-12
• 公開（公告）號: CN102396048A
• 公開（公告）日: 2012-03-28
• 發明（設計）人: 約瑟·D·史威尼;莎拉德·N·葉達夫;歐利格·拜;羅伯·金姆;大衛·艾德瑞吉;豐琳;史蒂芬·E·畢夏普;W·卡爾·歐蘭德;唐瀛
• 申請（專利權）人: 先進科技材料公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種控制一離子植入系統中一間接加熱的陰極源的狀態的方法，其特征在于，該方法包含：

a)藉由在一預定時間量測陰極偏壓功率來確定該間接加熱的陰極源的使用功率；

b)比較該預定時間的該使用功率與初始功率；及

c)響應于該比較采取校正動作(i)或(ii)以控制該間接加熱的陰極的該狀態，藉此

(i)若該預定時間的該使用功率高于該初始功率，則蝕刻該間接加熱的陰極；或

(ii)若該預定時間的該使用功率低于該初始功率，則再生長該間接加熱的陰極。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，其中該(c)(i)的蝕刻包括在足以蝕刻的低溫至中等溫度的條件下操作該間接加熱的陰極。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，其中該(c)(ii)的再生長包括使一氟化氣體在一電漿條件下在該間接加熱的陰極上流動。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，其中該氟化氣體包含以下中之一或多者：XeF₂、XeF₄、XeF₆、GeF₄、SiF₄、BF₃、AsF₅、AsF₃、PF₅、PF₃、F₂、TaF₃、TaF₅、WF₆、WF₅、WF₄、NF₃、IF₅、IF₇、KrF₂、SF₆、C₂F₆、CF₄、ClF₃、N₂F₄、N₂F₂、N₃F、NFH₂、NH₂F、BrF₃、C₃F₈、C₄F₈、C₅F₈、CHF₃、CH₂F₂、CH₃F、COF₂、HF、C₂HF₅、C₂H₂F₄、C₂H₃F₃、C₂H₄F₂、C₂H₅F、C₃F₆及MoF₆。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，其中該(c)(ii)的再生長包括在足以發生金屬沈積的高溫條件下操作該間接加熱的陰極。

6.如權利要求4所述的方法，其特征在于，其中該氟化氣體包含XeF₂及N₂F₄中之一或多者。

7.一種操作一離子植入系統的方法，其特征在于，該離子植入系統在一離子源的一電弧室中包括一陰極，為保持該離子源的操作效率，所述方法包含將該陰極在以下條件下與一鎢試劑進行接觸，該等條件系選自以下構成的群組：

(a)實現鎢在該陰極上沈積的條件；以及

(b)實現自該陰極上蝕刻所沈積材料的條件。

8.一種清洗一離子植入系統的一或多個部件的方法，其特征在于，用于自該一或多個部件至少部分地移除與電離作用有關的沈積物，所述方法包含將一清洗氣體在以下條件下流過該系統，該等條件系選自以下構成的群組：

(a)實現材料在該陰極上沈積的條件；以及

(b)實現自該陰極上蝕刻所沈積材料的條件。