[發明專利]用于電子照相的光電導體

有效

• 申請號: 200980157938.1
• 申請日: 2009-03-12
• 公開（公告）號: CN102349027A
• 公開（公告）日: 2012-02-08
• 發明（設計）人: K·瑙卡;盛夏;黃浩智
• 申請（專利權）人: 惠普開發有限公司
• 主分類號: G03G5/06
• 分類號: G03G5/06;G03G5/14
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 舒雄文;蹇煒

1.一種制造用于電子照相的光感受器的方法，包括：

在電極上沉積電荷生成層；

在所述電荷生成層上沉積電荷轉移層，所述電荷轉移層中設置有多個電荷轉移分子，并且所述電荷轉移層具有表面；

將包括不導電材料的膜沉積到所述表面上；

以一定時間和溫度加熱所述膜和所述表面，其中，所述加熱使得所述電荷轉移分子的子集移動到所述不導電材料中，以在所述膜中產生與所述電荷轉移層相鄰的導電子層和相對于所述電荷轉移層位于遠端的絕緣子層，并且其中，所述絕緣子層基本無電荷轉移分子。

2.如權利要求1所述的方法，其中，所述加熱在所述導電子層內導致所述電荷轉移分子的濃度梯度。

3.如權利要求1或2所述的方法，其中，以從約0.5μm至約5μm的厚度沉積所述膜。

4.如權利要求1至3中的一項所述的方法，其中，所述時間足夠產生厚度小于約50nm的所述絕緣子層。

5.如權利要求1至4中的一項所述的方法，其中，所述不導電材料也存在于所述電荷轉移層中。

6.如權利要求1至5中的一項所述的方法，其中，所述加熱包括多個加熱步驟，其中，在至少一個加熱步驟中改變所述溫度和時間。

7.如權利要求1至6中的一項所述的方法，其中，所述不導電材料包括從以下聚合物選擇的聚合物：聚醚砜、聚苯醚、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚對萘二甲酸乙二醇酯、及其組合。

8.如權利要求1至7中的一項所述的方法，其中，所述電荷轉移分子選自以下材料構成的組：芳烷烴、芳基胺、腙、聚苯亞乙烯、聚硅烷、聚(N-乙烯基咔唑)、吡唑啉、聯苯醌、其衍生物、組合物和絡合物。

9.如權利要求1至8中的一項所述的方法，其中，所述溫度從約80℃至約110℃。

10.一種用于電子照相的光電導體，包括：

電荷生成層，設置于電極上；

電荷轉移層，設置于所述電荷生成層上；

不導電材料的膜，設置于所述電荷轉移層上，并包括與所述電荷轉移層相鄰的導電子層和位于所述電荷轉移層遠端的絕緣子層；

多個電荷轉移分子，分布在所述電荷轉移層和所述導電子層內，而基本不存在于所述絕緣子層中。

11.如權利要求10所述的光電導體，其中，在所述導電子層內存在所述電荷轉移分子的濃度梯度。

12.如權利要求10或11所述的光電導體，其中，所述絕緣子層的厚度小于約50nm。

13.如權利要求10至12中的一項所述的光電導體，其中，所述不導電材料也存在于所述電荷轉移層中。

14.如權利要求10至13中的一項所述的光電導體，其中，所述不導電材料包括自以下聚合物選擇的聚合物：聚醚砜、聚苯醚、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚對萘二甲酸乙二醇酯、及其組合。

15.如權利要求10至14中的一項所述的光電導體，其中，所述電荷轉移分子選自以下材料構成的組：芳烷烴、芳基胺、腙、聚苯亞乙烯、聚硅烷、聚(N-乙烯基咔唑)、吡唑啉、聯苯醌、其衍生物、組合物和絡合物。