[發明專利]氮化物半導體裝置及其制造方法

無效

• 申請號: 200980157760.0
• 申請日: 2009-03-02
• 公開（公告）號: CN102341898A
• 公開（公告）日: 2012-02-01
• 發明（設計）人: 杉本雅裕;副島成雅;上杉勉;樹神雅人;石井榮子
• 申請（專利權）人: 豐田自動車株式會社
• 主分類號: H01L21/338
• 分類號: H01L21/338;H01L29/778;H01L29/812
• 代理公司: 北京金信立方知識產權代理有限公司 11225
• 代理人: 黃威;孫麗梅

1.一種氮化物半導體裝置，其特征在于，

具備：

n型的第一氮化物半導體層；

p型的第二氮化物半導體層，其被設置在該第一氮化物半導體層的表面的一部分上；

n型的第三氮化物半導體層，其被設置在所述第一氮化物半導體層的表面和所述第二氮化物半導體層的表面上；

表面電極，其被設置在所述第二氮化物半導體層的表面的一部分上，

在所述第三氮化物半導體層上，于從其邊緣隔開的位置處設置有開口，所述開口貫穿所述第三氮化物半導體層并到達所述第二氮化物半導體層的表面，

在該開口內設置有所述表面電極。

2.如權利要求1所述的氮化物半導體裝置，其特征在于，

還具備n型的第四氮化物半導體層，所述第四氮化物半導體層與所述第三氮化物半導體層的表面異質接合。

3.如權利要求1或2所述的氮化物半導體裝置，其特征在于，

所述表面電極與設置在所述氮化物半導體裝置的終端部和所述開口之間的所述第三氮化物半導體層隔開。

4.如權利要求1至3中的任意一項所述的氮化物半導體裝置，其特征在于，

所述第三氮化物半導體層被設置到所述氮化物半導體裝置的終端部為止。

5.如權利要求1至4中的任意一項所述的氮化物半導體裝置，其特征在于，

所述第二氮化物半導體層的終端部露出。

6.一種氮化物半導體裝置，其特征在于，

具備：

n型的第一氮化物半導體層；

p型的第二氮化物半導體層，其被設置在該第一氮化物半導體層的表面的一部分上；

n型的第三氮化物半導體層，其被設置在所述第一氮化物半導體層的表面和所述第二氮化物半導體層的表面上；

表面電極，其被設置在所述第二氮化物半導體層的表面的一部分上，

在面對所述第二氮化物半導體層的表面的范圍內的、與所述表面電極接觸的部分上，具有蝕刻損傷，

該蝕刻損傷被不具有蝕刻損傷的所述第二氮化物半導體層包圍。

7.一種氮化物半導體裝置的制造方法，其為制造權利要求1至6中的任意一項所述的氮化物半導體裝置的方法，其特征在于，包括：

第三氮化物半導體層形成工序，在所述第二氮化物半導體層的表面上形成所述第三氮化物半導體層；

開口形成工序，以從所述第三氮化物半導體層的表面起貫穿所述第三氮化物半導體層至到達所述第二氮化物半導體層為止的方式，對所述第三氮化物半導體層的一部分進行蝕刻，從而形成所述開口；

表面電極形成工序，在露出于該開口內的所述第二氮化物半導體層的表面上形成所述表面電極。

8.如權利要求7所述的氮化物半導體裝置的制造方法，其特征在于，

包括離子注入工序，在所述開口形成工序之前，向所述第三氮化物半導體層中的、所述氮化物半導體裝置的終端部與所述開口之間的部位，注入被離子化的N或Al或C或Mg。