[發明專利]圓盤形高密度記錄介質

有效

• 申請號: 200980157514.5
• 申請日: 2009-12-12
• 公開（公告）號: CN102576557A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: F-K.布魯德;W.黑澤;R.奧澤;R.普羅特;A.邁爾;K.希爾登布蘭;R.王;I.張
• 申請（專利權）人: 拜爾材料科學股份公司;拜耳材料科技（中國）有限公司
• 主分類號: G11B7/254
• 分類號: G11B7/254;G11B7/253
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 范赤;林森

1.一種光學記錄介質，其中在基材上順序地形成至少一個記錄層和一個光傳輸層，并且其中光從光傳輸層側照射用于記錄和/或再現信息信號，所述基材包括注塑部件，并且所述基材具有根據ASTM?E?756-05在25℃、2000?Hz下測量的至少2.15?GPa的楊氏模量E和低于160的Q因子，和＞85%的可錄制性。

2.根據權利要求1的光學記錄介質，特征在于基材在＞Tg?(玻璃化轉變溫度)-30℃的模具溫度下模塑。

3.根據權利要求2的光學記錄介質，特征在于模具溫度＞Tg?(玻璃化轉變溫度)-20℃。

4.根據權利要求1的光學記錄介質，其中所述基材具有根據ASTM?E?756-05，在25℃、2000?Hz下測量的至少2.93?GPa的楊氏模量E和低于160的Q因子。

5.根據權利要求1至權利要求3的光學記錄介質，其中所述基材為包含填料的聚碳酸酯。

6.根據權利要求5的光學記錄介質，其中所述填料具有根據莫氏硬度，低于或等于5的硬度，基于本體試樣測量。

7.根據權利要求6的光學記錄介質，其中所述填料基于d₅₀低于100?nm的初級納米顆粒。

8.根據權利要求1的光學記錄介質，其中所述基材具有沿著螺旋形軌跡排列的凹點，和或軌跡間距低于350?nm的螺旋形凹槽。

9.根據權利要求1的光學記錄介質，其中所述光傳輸層為具有至少1.41的折射率實部n的UV可固化和可旋涂樹脂。

10.根據權利要求1的光學記錄介質，其中所述光傳輸層為UV可固化和可旋涂樹脂，其具有(i)復數折射率，其中實部n為至少1.70和其中虛部k為至多0.016，(ii)低于20?nm的表面粗糙度R_a，和(iii)不大于0.75?μm刻劃深度的抗劃性，所述實部n和虛部k在400至410?nm波長下測量，并且所述表面粗糙度R_a由原子力顯微鏡方法測定，所述刻劃深度通過在40?g的施加重量下以1.5?cm/s的前進速率使尖部半徑為50?μm的鉆石針在聚碳酸酯基材上的涂層上移動來測定。

11.根據權利要求1至權利要求9的光學記錄介質，其中所述光傳輸層為UV可固化和可旋涂樹脂，其包括平均粒度(d₅₀)低于100?nm的納米顆粒。

12.根據權利要求1至權利要求10的光學記錄介質，其中光傳輸層的厚度為1?nm至低于3000?nm，更優選為200?nm至低于2000?nm和特別為500?nm至低于1500?nm。

13.根據權利要求1的光學記錄介質，其中基材包括聚碳酸酯樹脂，其中芳族二羥基單體衍生自式(1)的芳族二羥基化合物

HO-Z-OH????(1)?

其中Z表示式(1a)的基團

其中

R¹和R²彼此獨立地表示H或C₁-C₈-烷基和X表示單鍵、C₁-C₆-亞烷基、C₂-C₅-烷叉基或C₅-C₆-環烷叉基，其可以被C₁-C₆-烷基取代，

條件是如果X表示3,3,5-三甲基環己叉基，R¹和R²表示氫。

14.制備作為根據權利要求1的光學記錄介質基礎的基材的方法，其中基材在＞Tg?(玻璃化轉變溫度)-30℃的模具溫度下相對于包括凹點和/或凹槽的壓模進行模塑，借助于該方法，所述凹點和/或凹槽被復制到基材中，可錄制性＞85%。