[發明專利]通過氣相接枝涂布羥基化表面

有效

• 申請號: 200980156921.4
• 申請日: 2009-12-16
• 公開（公告）號: CN102317364A
• 公開（公告）日: 2012-01-11
• 發明（設計）人: 莫藤·梅爾達爾;馬納特·雷尼爾;斯提恩·維斯博格
• 申請（專利權）人: 嘉士伯有限公司
• 主分類號: C08L1/10
• 分類號: C08L1/10;C08B3/08;C08J7/16;D06M13/00
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 吳小瑛;任曉華

1.一種用酰基化試劑、甲硅烷基化試劑和/或烷基化試劑中的至少一種化合物涂布材料的羥基化表面，從而在所述材料的表面提供酰基、甲硅烷基和/或烷基的方法，所述方法包括以下步驟：

a)提供具有羥基化表面的材料，

b)提供選自以下試劑中的至少一種：酰基化試劑、甲硅烷基化試劑和/或烷基化試劑，

其中，所述酰基化試劑選自下式化合物：

其中X選自：

●鹵素，

●OTf，

●OMs，

●混合碳酸酐，

●混合酸酐，

●咪唑鎓鹽，

其中R_1(acy)、R_2(acy)和R_3(acy)選自H、分子量小于150的芳基、烷基和烯基，

其中所述烷基化試劑選自下式化合物：

其中X選自：

●鹵素，

●磺酸鹽，其包括Tf和Ms，和

●OCOR₄，

其中R₄是低級烷基、氟代烷基或烯基，且

其中R_1(alk)、R_2(alk)和R_3(alk)選自H、分子量小于150的烷基、芳基、氟代烷基和烯基，

其中所述甲硅烷基化試劑選自下式化合物：

其中X選自：

●鹵素，

●OSO₂R₄，

●NR₄R₄，和

●OR₄，

其中R₄是H或低級烷基、氟代烷基或烯基，且

其中R_1(sil)、R_2(sil)和R_3(sil)選自H、分子量小于150的苯基、烷基和烯基，

c)使所述具有羥基化表面的材料與選自以下試劑中的至少一種接觸：酰基化試劑、甲硅烷基化試劑和/或烷基化試劑，其中所述試劑保持為氣相，以及

d)獲得其表面包含-O-共價連接的殘基的材料，所述殘基包括酰基、甲硅烷基和/或烷基。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述混合碳酸酐選自式OCO₂R₄表示的化合物，其中R₄選自：低級烷基、氟代烷基或烯基。

3.如前述權利要求中任一項所述的方法，其中所述混合酸酐選自式OCOR₄表示的化合物，其中R₄選自：低級烷基、氟代烷基或烯基。

4.如前述權利要求中任一項所述的方法，其中所述包括Tf和Ms的磺酸鹽選自式OSO₂R₄表示的化合物，其中R₄選自：低級烷基、氟代烷基或烯基。

5.如前述權利要求中任一項所述的方法，其中所述酰基化試劑選自下式化合物：

其中X＝F、Cl、Br、OTf(三氟甲磺酰基)、OMs(甲磺酰基)、OCO₂R、OCOR或咪唑鎓鹽，其中R是小分子烷基、氟代烷基或烯基，且其中R₁、R₂和R₃選自H、分子量小于150的芳基、烷基和烯基。

6.如前述權利要求中任一項所述的方法，其中所述酰基化試劑選自下式化合物：

其中X＝F、Cl或Br，且R₁＝H、CH₃。

7.如前述權利要求中任一項所述的方法，其中所述甲硅烷基化試劑選自：

其中X＝Cl、Br、I、OSO₂R、NRR、OR，其中R是H或小分子烷基、氟代烷基或烯基，且其中R₁、R₂和R₃選自H、分子量小于150的苯基、烷基和烯基。