[發明專利]使用聚硅氮烷形成反色調圖像的硬掩模方法

有效

• 申請號: 200980156339.8
• 申請日: 2009-03-30
• 公開（公告）號: CN102308260A
• 公開（公告）日: 2012-01-04
• 發明（設計）人: D·J·阿布達拉;R·R·達梅爾;高野祐輔;李晉;黑澤和則
• 申請（專利權）人: AZ電子材料美國公司
• 主分類號: G03F7/40
• 分類號: G03F7/40;H01L21/027;H01L21/033;H01L21/3213
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 宓霞

1.在器件上形成反色調圖像的方法，包括：

a)任選地，在基材上形成吸收性有機底層；

b)在所述底層上形成光致抗蝕劑的涂層；

c)形成光致抗蝕劑圖案；

d)在所述光致抗蝕劑圖案上方由聚硅氮烷涂料組合物形成聚硅氮烷涂層，其中所述聚硅氮烷涂層比所述光致抗蝕劑圖案厚，和進一步其中所述聚硅氮烷涂料組合物包含硅/氮聚合物和有機涂料溶劑；

e)蝕刻所述聚硅氮烷涂層以除去所述聚硅氮烷涂層至少直到所述光致抗蝕劑圖案的頂部露出的程度；和

f)干蝕刻以除去所述光致抗蝕劑和在所述光致抗蝕劑下方的底層，從而在曾經存在所述光致抗蝕劑圖案的位置的下方形成開口。

2.權利要求1的方法，還包括干蝕刻所述基材的步驟。

3.權利要求1或2的方法，其中存在所述底層。

4.權利要求1或2的方法，其中不存在所述底層。

5.權利要求1-3中任一項的方法，其中在步驟f)中，所述干蝕刻包括使用相同氣體組合物在一個連續步驟中除去光致抗蝕劑和底層。

6.權利要求1-3或5中任一項的方法，其中在步驟f)中，所述干蝕刻包括首先除去光致抗蝕劑，接著是除去底層的單獨步驟。

7.權利要求1-6中任一項的方法，其中所述聚硅氮烷包含至少一種結構(8)的單元，

其中R¹、R²和R³各自獨立地選自氫、烷基、烯基、環烷基、芳基、氟烷基、烷基甲硅烷基、烷基氨基、烷氧基，n是整數。

8.權利要求7的方法，其中所述聚硅氮烷包含至少一種結構(8)的單元，

其中R¹、R²和R³各自獨立地選自氫、烷基、烯基、環烷基、芳基、氟烷基、烷基甲硅烷基、烷基氨基、烷氧基，n是整數，和條件是R¹、R²和R³中至少一個是氫原子。

9.權利要求8的方法，其中所述聚硅氮烷包含至少一種結構(9)的單元，

其中n是整數。

10.權利要求1-3或5-9中任一項的方法，其中所述底層具有大于75重量％的碳含量。

11.權利要求1-10中任一項的方法，其中所述成像式曝光選自248nm、193nm、157nm、EUV、電子束和壓印。

12.權利要求1-11中任一項的方法，其中步驟e)中的用于除去硅層的干蝕刻氣體包含氟烴。

13.權利要求1-12中任一項的方法，其中步驟f)中的干蝕刻氣體包含氧氣。

14.通過權利要求1-13中任一項的方法獲得的產品。

15.通過使用根據權利要求1-13中任一項的在器件上形成反色調圖像的方法獲得的微電子器件。