[發明專利]用于通過激光能量照射半導體材料表面的方法和設備

有效

• 申請號: 200980156319.0
• 申請日: 2009-12-21
• 公開（公告）號: CN102307696A
• 公開（公告）日: 2012-01-04
• 發明（設計）人: 茱利安·溫特維尼
• 申請（專利權）人: 愛克西可法國公司
• 主分類號: B23K26/00
• 分類號: B23K26/00;B23K26/03
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 周靖;鄭霞

1.一種用于照射半導體材料的方法，包括：

-利用具有激光照射參數的第一激光器照射半導體材料層表面的區域，以熔化所述區域的至少一部分；

-以及通過調節所述照射參數來控制照射過程；

其特征在于所述方法還包括確定熔化的區域部分的深度。

2.根據權利要求1所述的用于照射半導體材料的方法，其中所述照射過程通過基于將所述熔化的區域部分的所確定的深度與目標深度進行比較來調節所述照射參數而被控制。

3.根據權利要求1至2所述的用于照射半導體材料的方法，其中確定所述熔化的區域部分的所述深度包括在照射期間測量所述熔化的區域部分的熔化時間。

4.根據權利要求3所述的用于照射半導體材料的方法，其中測量所述熔化的區域部分的所述熔化時間包括在照射期間測量被照射的表面的折射率的改變。

5.根據權利要求4所述的用于照射半導體材料的方法，其中測量所述熔化的區域部分的所述熔化時間包括在照射期間測量所述被照射的表面的反射率。

6.根據權利要求5所述的用于照射半導體材料的方法，其中測量所述反射率包括檢測在所述被照射的表面上的來自所述第一激光器的反射。

7.根據權利要求5所述的用于照射半導體材料的方法，其中測量所述反射率包括檢測在所述被照射的表面上的來自第二激光器的反射。

8.一種用于照射半導體材料的設備，包括：

-第一激光器，其用于照射半導體層表面的區域，以熔化所述區域的至少一部分，所述激光器具有激光照射參數；

-以及控制器，其用于通過調節所述激光照射參數來控制照射過程；

其特征在于所述設備還包括用于確定熔化的區域部分的深度的裝置。

9.根據權利要求8所述的用于照射半導體材料的設備，其中所述控制器適于通過基于將所述熔化的區域部分的所確定的深度與目標深度進行比較以調節所述照射參數來控制所述照射過程。

10.根據權利要求8至9所述的用于照射半導體材料的設備，其中所述用于確定熔化的區域部分的深度的裝置包括用于在照射期間測量所述熔化的區域部分的熔化時間的裝置。

11.根據權利要求10所述的用于照射半導體材料的設備，其中所述用于測量所述熔化的區域部分的熔化時間的裝置包括用于在照射期間測量被照射的表面的折射率的改變的裝置。

12.根據權利要求11所述的用于照射半導體材料的設備，其中所述用于測量所述熔化的區域部分的熔化時間的裝置包括用于在照射期間測量所述被照射的表面的反射率的裝置。

13.根據權利要求12所述的用于照射半導體材料的設備，其中所述用于測量所述被照射的表面的反射率的裝置包括第二激光器。

14.一種根據權利要求8至13所述的設備的用途，用于制造半導體材料。