[發(fā)明專利]TFT陣列基板和液晶顯示面板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200980156284.0 | 申請日： | 2009-11-05 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102308253B | 公開（公告）日： | 2014-12-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 小笠原功;山田崇晴;吉田昌弘;堀內(nèi)智;田中信也;菊池哲郎 | 申請（專利權(quán)）人： | 夏普株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | G02F1/1368 | 分類號(hào)： | G02F1/1368;G02F1/1345;G09F9/30 |
| 代理公司： | 北京市隆安律師事務(wù)所 11323 | 代理人： | 權(quán)鮮枝 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | tft 陣列 液晶顯示 面板 | ||
1.一種TFT陣列基板，其特征在于，
在絕緣基板上TFT元件和連接到該TFT元件的像素電極設(shè)置成 矩陣狀，
在上述絕緣基板上，連接到上述TFT元件的柵極總線由第1金 屬材料形成，
在上述絕緣基板上，連接到上述TFT元件的源極總線由第2金 屬材料形成，
上述像素電極由第3金屬材料形成，
在上述絕緣基板中，矩陣狀地配置有上述像素電極的區(qū)域是顯 示區(qū)域，
上述顯示區(qū)域的周邊的區(qū)域是周邊區(qū)域，
在上述周邊區(qū)域設(shè)有用于驅(qū)動(dòng)上述TFT元件的驅(qū)動(dòng)電路，
在上述周邊區(qū)域設(shè)有連接到上述驅(qū)動(dòng)電路的分支配線和連接 至上述分支配線的干配線，
在上述周邊區(qū)域設(shè)有連接部分，上述干配線和上述分支配線在 上述連接部分電連接，
在上述連接部分，上述干配線和上述分支配線由連接導(dǎo)體連 接，
上述連接導(dǎo)體由上述第3金屬材料形成，
在上述連接部分，設(shè)有經(jīng)由上述連接導(dǎo)體露出上述分支配線的 分支配線通路，
上述干配線由上述第1金屬材料形成，
上述分支配線由上述第2金屬材料形成，
在上述連接部分的至少一個(gè)部位，上述分支配線通路的全部在 俯視時(shí)與上述干配線重合，
在上述周邊區(qū)域設(shè)有多條上述分支配線，
在上述分支配線中，在上述干配線的上層區(qū)域設(shè)有沿著上述干 配線延伸的分支配線延伸部，
上述分支配線延伸部與多條上述分支配線電連接。
2.一種TFT陣列基板，其特征在于，
在絕緣基板上TFT元件和連接到該TFT元件的像素電極設(shè)置成 矩陣狀，
在上述絕緣基板上，連接到上述TFT元件的柵極總線由第1金 屬材料形成，
在上述絕緣基板上，連接到上述TFT元件的源極總線由第2金 屬材料形成，
上述像素電極由第3金屬材料形成，
在上述絕緣基板中，矩陣狀地配置有上述像素電極的區(qū)域是顯 示區(qū)域，
上述顯示區(qū)域的周邊的區(qū)域是周邊區(qū)域，
在上述周邊區(qū)域設(shè)有用于驅(qū)動(dòng)上述TFT元件的周邊TFT元件，
在上述周邊區(qū)域設(shè)有連接到上述周邊TFT元件的分支配線和 連接到上述分支配線的干配線，
在上述周邊區(qū)域設(shè)有連接部分，上述干配線和上述分支配線在 上述連接部分電連接，
在上述連接部分，上述干配線和上述分支配線由連接導(dǎo)體連 接，
上述連接導(dǎo)體由上述第3金屬材料形成，
在上述連接部分，設(shè)有經(jīng)由上述連接導(dǎo)體露出上述分支配線的 分支配線通路，
上述干配線由上述第1金屬材料形成，
上述分支配線由上述第2金屬材料形成，
在上述連接部分的至少一個(gè)部位，上述分支配線通路的全部在 俯視時(shí)與上述干配線重合，
在上述周邊區(qū)域設(shè)有多條上述分支配線，
在上述分支配線中，在上述干配線的上層區(qū)域設(shè)有沿著上述干 配線延伸的分支配線延伸部，
上述分支配線延伸部與多條上述分支配線電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的TFT陣列基板，其特征在于，
在上述周邊區(qū)域設(shè)有多條上述干配線，
上述干配線中除了最靠近上述絕緣基板的基板端邊的干配線 以外的干配線的配線寬度是相同的。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的TFT陣列基板，其特征在于，上述干 配線中最靠近上述絕緣基板的基板端邊的干配線的配線寬度比除 了最靠近上述絕緣基板的基板端邊的干配線以外的干配線的配線 寬度大。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的TFT陣列基板，其特征在于，上述干 配線中最靠近上述絕緣基板的基板端邊的干配線是低電位側(cè)電源 配線。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的TFT陣列基板，其特征在于，在上述 干配線中最靠近上述絕緣基板的基板端邊的干配線中設(shè)有欠缺部。
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G02F 用于控制光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置，例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào)，上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來修改的；用于上述操作的技術(shù)或工藝；變頻；非線性光學(xué)；光學(xué)
G02F1-00 控制來自獨(dú)立光源的光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置，例如，轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制；非線性光學(xué)
G02F1-01 .對強(qiáng)度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制，即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的
