[發(fā)明專利]TFT陣列檢查方法以及TFT陣列檢查裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200980156196.0 | 申請(qǐng)日: | 2009-02-04 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102308202A | 公開(公告)日: | 2012-01-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 西原隆治 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社島津制作所 |
| 主分類號(hào): | G01N23/225 | 分類號(hào): | G01N23/225;G01R31/26;G02F1/13;G02F1/133;G02F1/1368;G09F9/00;H01L21/66;H01L29/786 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | tft 陣列 檢查 方法 以及 裝置 | ||
1.一種TFT基板的檢查方法,對(duì)TFT基板的TFT陣列施加電壓,對(duì)通過(guò)電子束的照射而獲得的二次電子進(jìn)行檢測(cè),從而檢查TFT陣列的缺陷,該TFT基板的檢查方法的特征在于,
將用于掃描TFT陣列的所有像素的時(shí)間寬度設(shè)為一幀,
在包含多個(gè)上述幀的一個(gè)柵極周期內(nèi),作為用于驅(qū)動(dòng)像素的驅(qū)動(dòng)模式,具有以下電壓模式:在上述多個(gè)幀內(nèi)的時(shí)間上的第一幀的初始期間將電壓設(shè)為正電壓和負(fù)電壓中的某一種電壓,之后,在上述第一幀的剩余期間以及第二幀之后的幀內(nèi)使上述電壓進(jìn)行正負(fù)反轉(zhuǎn),
使用上述電壓模式來(lái)對(duì)TFT陣列的像素施加上述第一幀的初始期間的正電壓和負(fù)電壓中的某一種電壓,之后,在上述一個(gè)柵極周期的整個(gè)時(shí)間寬度內(nèi)保持對(duì)上述像素施加的電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT基板的檢查方法,其特征在于,
在上述第一幀的初始期間內(nèi),通過(guò)將上述TFT陣列的TFT設(shè)為導(dǎo)通狀態(tài),從而對(duì)TFT陣列的像素施加上述第一幀的初始期間的正電壓和負(fù)電壓中的某一種電壓,
通過(guò)將上述TFT陣列的TFT設(shè)為截止?fàn)顟B(tài),在上述一個(gè)柵極周期的整個(gè)時(shí)間寬度內(nèi)保持對(duì)上述像素施加的電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TFT基板的檢查方法,其特征在于,
對(duì)于上述TFT陣列使柵極線與源極線柵格狀地排列,
根據(jù)施加于上述柵極線的柵極信號(hào)來(lái)控制TFT陣列的TFT的導(dǎo)通狀態(tài)和截止?fàn)顟B(tài),
根據(jù)施加于上述源極線的源極信號(hào),經(jīng)由上述導(dǎo)通狀態(tài)的TFT來(lái)對(duì)像素施加電壓模式的電壓,使上述像素保持被施加的電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的TFT基板的檢查方法,其特征在于,
通過(guò)使經(jīng)由附加電容連接于上述像素的共用線的電壓向負(fù)側(cè)偏移,從而增大正常像素與短路缺陷像素之間的電壓差。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的TFT基板的檢查方法,其特征在于,
在上述一個(gè)柵極周期所具備的多個(gè)幀內(nèi),根據(jù)對(duì)在時(shí)間上靠后的幀內(nèi)進(jìn)行掃描而獲取的檢測(cè)信號(hào)來(lái)進(jìn)行缺陷檢測(cè)。
6.一種TFT基板的檢查裝置,對(duì)TFT基板的TFT陣列施加電壓,根據(jù)通過(guò)電子束的照射而獲得的二次電子來(lái)檢測(cè)基于該施加電壓的電壓狀態(tài),從而對(duì)TFT陣列的缺陷進(jìn)行檢查,該TFT基板的檢查裝置的特征在于,具備:
電子束源,其對(duì)TFT基板照射電子束;
檢測(cè)器,其檢測(cè)從TFT基板發(fā)射出的二次電子;
檢查信號(hào)生成部,其生成檢查信號(hào)并將該檢查信號(hào)施加到TFT基板的TFT陣列;以及
缺陷檢測(cè)部,其根據(jù)上述檢測(cè)器的檢測(cè)信號(hào)來(lái)檢測(cè)TFT陣列的缺陷,
其中,上述檢查信號(hào)生成部將用于掃描TFT陣列的所有像素的時(shí)間寬度設(shè)為一幀,在包含多個(gè)上述幀的一個(gè)柵極周期內(nèi),生成具備作為用于驅(qū)動(dòng)像素的驅(qū)動(dòng)模式的以下電壓模式的檢查信號(hào),該電壓模式為:在上述多個(gè)幀內(nèi)的在時(shí)間上的第一幀的初始期間將電壓設(shè)為正電壓和負(fù)電壓中的某一種電壓,之后,在上述第一幀的剩余期間以及第二幀之后的幀內(nèi)使上述電壓進(jìn)行正負(fù)反轉(zhuǎn),
上述缺陷檢測(cè)部使用上述電壓模式來(lái)對(duì)TFT陣列的像素施加上述第一幀的初始期間的正電壓和負(fù)電壓中的某一種電壓,之后,在上述一個(gè)柵極周期的整個(gè)時(shí)間寬度內(nèi)保持對(duì)上述像素施加的電壓,根據(jù)由該電壓保持所獲取的像素電壓來(lái)檢測(cè)像素的缺陷。
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G01N23-20 .利用輻射的衍射,例如,用于測(cè)試晶體結(jié)構(gòu);利用輻射的反射
G01N23-22 .通過(guò)測(cè)量二次發(fā)射
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