[發明專利]具有兩個放大級的運算跨導放大器

有效

• 申請號: 200980156056.3
• 申請日: 2009-11-24
• 公開（公告）號: CN102301588A
• 公開（公告）日: 2011-12-28
• 發明（設計）人: 杰爾馬諾·尼科利尼;安德烈·巴比耶里;瑟吉歐·佩爾尼西
• 申請（專利權）人: 意法愛立信有限公司
• 主分類號: H03F1/08
• 分類號: H03F1/08;H03F3/45
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種運算放大器(100)，所述運算放大器包括：

第一放大級(101)，所述第一放大級(101)具有用以接收待放大的信號的輸入端子(INM，INP)和第一輸出端子(T1，T2)；

第二放大級(102)，所述第二放大級(102)具有連接到所述第一輸出端子的第一輸入端子(Q1，Q2)和提供放大的信號的輸出端子(OUT1，OUT2)，所述第一放大級和所述第二放大級在所述輸入端子(INM，INP)和所述輸出端子(OUT1，OUT2)之間限定信號傳遞函數，所述信號傳遞函數包括第一極點(ω_p1)和第二極點(ω_p2)，

其特征在于，所述運算放大器(100)包括去耦級(103)，所述去耦級(103)具有連接到所述第一級輸入端子(INM，INP)的另一輸入端子和連接到所述第二級輸出端子(OUT1，OUT2)的另一輸出端子，所述去耦級(103)布置成將至少一個零點(ω_z)加入到所述運算放大器的傳遞函數中。

2.如權利要求1所述的運算放大器(100)，其中所述去耦級(103)包括連接在接地端子(GND)和偏壓端子(V_DD)之間的電子跟隨器裝置(M5，M6)，并且所述電子跟隨器裝置(M5、M6)設置有連接到所述第一級(101)的所述輸入端子(INM，INP)的另一輸入端子。

3.如權利要求2所述的運算放大器(100)，其中所述電子跟隨器裝置(M5，M6)包括配置成源極跟隨器的PMOS晶體管(M5)，所述PMOS晶體管(M5)通過偏壓晶體管(M6)連接到所述偏壓端子(V_DD)，所述偏壓晶體管由柵極參考電位(V_B2)驅動。

4.如權利要求3所述的運算放大器(100)，其中所述電子跟隨器裝置(M5，M6)設置有連接到另一電子晶體管(M3)的柵極端子的各個輸出(U1，U2)，所述另一晶體管具有連接在所述放大器的所述偏壓端子(V_DD)和所述輸出端子(OUT1，OUT2)之間的源極端子和漏極端子。

5.如權利要求4所述的運算放大器(100)，其中所述另一電子晶體管(M3)是用于所述第二放大級(102)的晶體管(M2)的A級負載晶體管。

6.如權利要求1所述的運算放大器(100)，其中所述第一放大級(101)的所述輸入端子(INM，INP)包括兩個差分輸入端子，所述第一輸出端子(T1，T2)包括兩個差分輸出端子，且所述第二放大級(102)的所述輸出端子(OUT1，OUT2)包括兩個差分輸出端子。

7.如權利要求4和6所述的運算放大器(100)，其中所述放大器還連接到偏壓級(104)，所述偏壓級(104)包括為二極管結構形式的第一PMOS晶體管(MD1)和第二PMOS晶體管(MD2)，所述第一PMOS晶體管(MD1)和第二PMOS晶體管(MD2)相互串聯且連接到偏置電流產生器(I_DD)，所述偏壓級(104)配置成確保所述參考電位(V_B2)供給所述另一電子晶體管(M3)的所述柵極端子，以建立所述放大器的輸出電流(I_OUT)。