[發明專利]用于光伏和其它低溫化學氣相沉積工藝的硅薄膜的分子氟蝕刻無效
| 申請號： | 200980155955.1 | 申請日： | 2009-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN102292169A | 公開（公告）日： | 2011-12-21 |
| 發明（設計）人： | P·A·斯托克曼;R·A·霍格爾 | 申請（專利權）人： | 琳德股份公司 |
| 主分類號： | B08B7/00 | 分類號： | B08B7/00 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 陳哲鋒 |
| 地址： | 德國*** | 國省代碼： | 德國;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 其它 低溫 化學 沉積 工藝 薄膜 分子 蝕刻 | ||
1.一種蝕刻用于光伏器件的硅薄膜的方法，所述方法包括使用分子氟作為蝕刻劑。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，蝕刻在50℃至300℃的溫度和1毫巴至1000毫巴的分壓的條件下進行。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述分子氟在初始靜態分壓下以蝕刻所述硅薄膜所需的化學計量過量的量引入蝕刻室內。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述分子氟在初始靜態分壓下以等于蝕刻所述硅薄膜所需的化學計量的量引入蝕刻室內。
5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，進行重復的蝕刻周期以達到穩態清除，并且使用工業上可行的最小量的分子氟。
6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，分子氟在初始靜態分壓下以低于蝕刻硅薄膜所需的化學計量的量引入蝕刻室內，并且額外的分子氟以穩定或變化的速率加入。
7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，蝕刻在200℃的溫度和1毫巴至1000毫巴的分壓的條件下進行。
8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，蝕刻分壓為1毫巴至350毫巴。
9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，蝕刻分壓為39毫巴。
10.如權利要求8所述的方法，其特征在于，蝕刻分壓為100毫巴。
11.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述蝕刻速率高于
12.如權利要求1所述的方法，其特征在于，硅薄膜在不到60秒內有2μm被完全除去。
13.如權利要求1所述的方法，其特征在于，硅薄膜在不到20分鐘內有100μm被完全除去。
14.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在蝕刻過程中調節分子氟的分壓以控制硅薄膜的蝕刻速率。
15.一種硅薄膜，所述硅薄膜已使用分子氟作為蝕刻劑蝕刻。
16.一種含硅薄膜的光伏器件，所述硅薄膜已使用分子氟作為蝕刻劑蝕刻。
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