[發明專利]用于處理絕緣體上硅結構的方法

無效

• 申請號: 200980155241.0
• 申請日: 2009-11-23
• 公開（公告）號: CN102292810A
• 公開（公告）日: 2011-12-21
• 發明（設計）人: M·J·里斯;R·W·斯坦德利;J·L·利伯特;A·M·瓊斯;G·M·威爾遜
• 申請（專利權）人: MEMC電子材料有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 楊曉光;于靜

1.一種用于處理絕緣體上硅結構的方法，所述絕緣體上硅結構包括處理晶片、硅層以及在所述處理晶片與所述硅層之間的介電層，所述硅層具有解理表面，所述解理表面限定所述結構的外表面，所述方法包括以下步驟：

對所述結構退火；

蝕刻所述解理表面；以及

對所述解理表面進行非接觸式平滑工藝。

2.根據權利要求1的方法，其中所述蝕刻步驟包括去除所述結構的所述硅層的至少一部分。

3.根據權利要求2的方法，其中所述蝕刻步驟包括將蝕刻劑導引向所述結構的所述硅層以去除所述硅層的至少一部分。

4.根據權利要求3的方法，其中所述蝕刻步驟包括在將所述蝕刻劑導引向所述硅層的同時使所述結構在旋轉蝕刻機上旋轉。

5.根據權利要求4的方法，其中所述蝕刻步驟包括將蝕刻劑以層流方式導引向所述硅層。

6.根據權利要求4的方法，其中所述蝕刻步驟包括將蝕刻劑以非層流方式導引向所述硅層。

7.根據權利要求1的方法，其中所述非接觸式平滑工藝包括對所述解理表面進行外延平滑工藝。

8.根據權利要求1的方法，其中所述非接觸式平滑工藝包括在惰性氣氛中對所述結構退火。

9.根據權利要求1的方法，其中所述退火步驟包括在氧化環境中對所述結構退火。

10.根據權利要求1的方法，其中所述退火步驟包括將所述結構放置在包含氬和氫的混合物的惰性氣氛中。

11.根據權利要求1的方法，其中所述退火為批退火處理。

12.根據權利要求1的方法，其中所述退火步驟為快速熱退火。

13.根據權利要求1的方法，還包括在對所述結構退火之前清潔所述解理表面。

14.一種用于處理絕緣體上硅結構的方法，所述絕緣體上硅結構包括處理晶片、硅層以及在所述處理晶片與所述硅層之間的介電層，所述硅層具有解理表面，所述解理表面限定所述結構的外表面，所述方法包括以下步驟：

通過去除所述結構的所述硅層的至少一部分來蝕刻所述結構的所述解理表面；以及

對所述結構的所述解理表面進行非接觸式平滑處理。

15.根據權利要求14的方法，其中所述蝕刻步驟基本上去除在所述硅層上的任何氧化物。

16.根據權利要求14的方法，其中在所述蝕刻步驟之后包括允許氧化物的薄層殘留在所述解理表面上。

17.根據權利要求16的方法，其中所述氧化物的薄層包括所述解理表面上的鈍化涂層。

18.根據權利要求14的方法，其中所述非接觸式平滑工藝包括對所述解理表面進行外延平滑工藝。

19.根據權利要求14的方法，其中所述非接觸式平滑工藝包括在包含氬的惰性氣氛中對所述結構退火。

20.根據權利要求14的方法，其中所述非接觸式平滑工藝包括在包含氬和氫的混合物的氣氛中對所述結構退火。

21.根據權利要求18的方法，其中所述非接觸式平滑工藝包括使所述結構的所述解理表面與氣態蝕刻劑接觸。

22.根據權利要求14的方法，還包括在蝕刻所述解理表面的同時使所述結構旋轉。

23.根據權利要求22的方法，還包括通過修改下列中的至少一項來改變通過所述蝕刻去除的所述硅層的量：所述蝕刻劑的成分、所述結構的旋轉速率、以及噴嘴頭的流動特性，其中蝕刻劑通過所述噴嘴頭而被分散到所述解理表面上。

24.一種用于處理絕緣體上硅結構的方法，所述絕緣體上硅結構包括處理晶片、硅層以及在所述處理晶片與所述硅層之間的介電層，所述硅層具有解理表面，所述解理表面限定所述結構的外表面，所述方法包括以下步驟：

蝕刻所述結構的所述解理表面；以及

對所述結構退火。

25.根據權利要求24的方法，其中所述退火步驟包括將所述結構放置在包含氬的惰性氣氛中。

26.根據權利要求24的方法，其中所述退火步驟包括將所述結構放置在包含氬和氫的混合物的氣氛中。