[發明專利]同心的中空陰極磁控管濺射源無效
| 申請號： | 200980154576.0 | 申請日： | 2009-01-21 |
| 公開（公告）號： | CN102282286A | 公開（公告）日： | 2011-12-14 |
| 發明（設計）人： | 丹尼爾·布魯爾斯;杜米尼克·施密特;邁克爾·豪蘭;戴夫·科雷亞;亞特·舒倫伯格 | 申請（專利權）人： | 4D-S有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/00 | 分類號： | C23C14/00 |
| 代理公司： | 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262 | 代理人： | 周靖;鄭霞 |
| 地址： | 澳大利亞西*** | 國省代碼： | 澳大利亞;AU |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 同心 中空 陰極 磁控管 濺射 | ||
【權利要求書】：
1.一種在真空室內的同心的濺射源，所述同心的濺射源包括外環中的兩排磁體和內環中的兩排磁體。
2.如權利要求1所述的同心的濺射源，其中所述外環上的所述兩排磁體和所述內環上的所述兩排磁體被布置成使得上部環上的磁極吸引磁體的內部的上部環且還吸引磁體的外環，且磁體的內部的下部環吸引磁體的外部的下部環。
3.如權利要求1所述的同心的濺射源，其中所述外環磁體被附接至第一鐵軛，所述第一鐵軛是磁場上的回路；且所述內環磁體被附接至第二鐵軛，所述第二鐵軛是磁場上的回路。
4.如權利要求1所述的同心的濺射源，其中所述內部磁體環和所述外部磁體環由三條邊或更多條邊組成。
5.如權利要求1所述的同心的濺射源，其中所述內部磁體環和所述外部磁體環優選地由六條邊組成。
6.如權利要求1所述的同心的濺射源，其中靶表面處的磁場為200高斯-1000高斯。
7.如權利要求1所述的同心的濺射源，其中所述靶表面處的所述磁場優選為300高斯-400高斯。
8.如權利要求1所述的同心的濺射源，其中從所述外部磁體環至所述內部磁體環的磁場為300高斯-1000高斯。
9.如權利要求1所述的同心的濺射源，其中從所述外部磁體環至所述內部磁體環的磁場優選為300高斯-400高斯。
10.如權利要求1所述的同心的濺射源，其中所述真空室以低至2×10E-5托的壓強操作。
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