[發(fā)明專利]形成半導體層的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980154030.5
• 申請日: 2009-11-03
• 公開（公告）號: CN102272890A
• 公開（公告）日: 2011-12-07
• 發(fā)明（設計）人: H·J·馬丁內(nèi)斯;J·J·哈肯伯格;J·希爾德雷思;R·E·諾布爾
• 申請（專利權(quán)）人: 飛思卡爾半導體公司
• 主分類號: H01L21/20
• 分類號: H01L21/20;H01L31/101
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 申發(fā)振

1.一種形成半導體層的方法，該方法包括：

形成具有暴露的頂表面的硅形狀；

將臭氧化水施加于該頂表面，以在該頂表面上形成第一氧化物層；

在低于600攝氏度的溫度下，去除該第一氧化物層；以及

在該頂表面上，外延生長半導體材料。

2.如權(quán)利要求1的方法，其中施加臭氧化水的步驟的進一步特征在于溫度低于600攝氏度。

3.如權(quán)利要求1的方法，進一步包括：

在該半導體材料中形成P型區(qū)域；以及

在該半導體材料中形成N型區(qū)域，其中該N型區(qū)域與該P型區(qū)域分離。

4.如權(quán)利要求1的方法，進一步包括：

在形成該第一氧化物層的步驟之前，將臭氧化水施加于該頂表面以形成第二氧化物層；以及

去除該第二氧化物層；其中：

施加該臭氧化水以及去除該第一氧化物層的步驟的進一步特征在于在于溫度低于500攝氏度。

5.如權(quán)利要求4的方法，進一步包括：

在生長該第一氧化物層之后且在去除該第一氧化物層之前，使該頂表面干燥。

6.如權(quán)利要求5的方法，進一步包括：

在去除該第一氧化物層之后，使該頂表面干燥。

7.如權(quán)利要求6的方法，其中：

去除該第一氧化物層的步驟的進一步特征在于使用濕蝕刻劑，該濕蝕刻劑包括氫氟酸；以及

該半導體材料包括鍺。

8.如權(quán)利要求1的方法，進一步包括：

用脫氣水沖洗該頂表面。

9.如權(quán)利要求1的方法，其中施加臭氧化水以形成該第一氧化物層的步驟包括將臭氧化去離子水施加于該頂表面。

10.如權(quán)利要求1的方法，其中自形成該第一氧化物層的步驟起至外延生長該半導體材料的步驟，防止該頂表面承受超過600攝氏度的溫度。

11.如權(quán)利要求1的方法，其中形成該第一氧化物層的步驟是在室溫下進行的。

12.如權(quán)利要求1的方法，其中該硅形狀由硅層形成，該方法進一步包括在該半導體層中和該半導體層上形成晶體管。

13.如權(quán)利要求12的方法，該方法進一步包括在該半導體層中的溝槽隔離，其中該溝槽隔離位于該晶體管與該硅形狀之間。

14.如權(quán)利要求1的方法，其中形成該硅形狀的步驟的進一步特征在于將該硅形狀形成為倒T形狀。

15.一種形成半導體層的方法，該方法包括：

形成具有暴露的頂表面的硅形狀；

在該頂表面上生長第一氧化物層；

去除該第一氧化物層；

在該頂表面上生長第二氧化物層；

去除該第二氧化物層；以及

在該頂表面上外延生長鍺，

其中在生長該第一氧化物層的步驟之后該頂表面的所有處理是在低于600攝氏度的溫度下發(fā)生的。

16.如權(quán)利要求15的方法，其中生長該第一氧化物層包括將臭氧化水施加于該頂表面。

17.如權(quán)利要求16的方法，其中生長該第一氧化物層的進一步特征在于該臭氧化水是去離子的。

18.如權(quán)利要求17的方法，進一步包括在施加臭氧化水以形成該第二氧化物層之后使用氮氣以使該頂表面干燥。

19.一種形成半導體層的方法，該方法包括：

形成具有暴露的頂表面的硅形狀；

將臭氧化去離子水施加于該頂表面，以在該頂表面上形成第一氧化物層；

使用濕氫氟酸去除該第一氧化物層；

將臭氧化去離子水施加于該頂表面，以在該頂表面上形成第二氧化物層；

使用濕氫氟酸去除該第二氧化物層；以及

在該頂表面上外延生長鍺。

20.如權(quán)利要求19的方法，進一步包括：

在施加臭氧化去離子水以形成該第一氧化物層的步驟之前，將臭氧化去離子水施加于該頂表面，以在該頂表面上形成第三氧化物層；以及

使用濕氫氟酸來去除該第三氧化物層。