[發(fā)明專利]真空涂層設(shè)備和用于操作真空涂層設(shè)備的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200980153802.3 | 申請日: | 2009-12-09 |
| 公開(公告)號: | CN102282290A | 公開(公告)日: | 2011-12-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吉多·維勒斯 | 申請(專利權(quán))人: | 索韋羅公司 |
| 主分類號: | C23C14/56 | 分類號: | C23C14/56;H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 張春水;田軍鋒 |
| 地址: | 德國比特費(fèi)*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 真空 涂層 設(shè)備 用于 操作 方法 | ||
1.一種真空涂層設(shè)備(01),具有至少一個(gè)可抽真空的工藝過程腔(02)以及至少一個(gè)入口孔(10)和至少一個(gè)出口孔(11),其中在所述工藝過程腔(02)內(nèi)通過時(shí)被涂層的晶片元件(03)能夠通過所述入口孔(10)輸送到所述工藝過程腔內(nèi),并且通過所述出口孔(11)從所述工藝過程腔中輸送出,并且其中在所述入口孔(10)和所述出口孔(11)處分別設(shè)有閘閥(08、09),所述閘閥能夠在打開位置和壓力密封的關(guān)閉位置之間沿著閘閥關(guān)閉路徑調(diào)節(jié),并且其中為了運(yùn)送所述晶片元件(03),設(shè)有具有至少三個(gè)運(yùn)送裝置(04、05、06、17)的運(yùn)送系統(tǒng),其中第一運(yùn)送裝置(04、17)設(shè)置在所述入口孔(10)的上游,其中第二運(yùn)送裝置(05、17)設(shè)置在所述工藝過程腔(02)內(nèi),并且其中第三運(yùn)送裝置(06、17)設(shè)置在所述出口孔(11)的下游,并且其中所述運(yùn)送裝置(04、05、06、17)分別具有至少一個(gè)環(huán)繞的運(yùn)送機(jī)構(gòu)(14、18),所述晶片元件(03)從上面放置在所述運(yùn)送機(jī)構(gòu)上,并且能夠通過所述運(yùn)送機(jī)構(gòu)(14、18)在運(yùn)送裝置(07)內(nèi)的環(huán)繞的驅(qū)動輸送穿過晶片真空涂層設(shè)備(01),
其特征在于,所述運(yùn)送系統(tǒng)在所述入口孔(10)和/或所述出口孔(11)處具有可調(diào)節(jié)的轉(zhuǎn)運(yùn)裝置(12、13、16),所述轉(zhuǎn)運(yùn)裝置能夠在轉(zhuǎn)換位置和空轉(zhuǎn)位置之間調(diào)節(jié),其中在所述轉(zhuǎn)運(yùn)裝置(12、13、16)的所述轉(zhuǎn)換位置上,所述晶片元件(03)能夠穿過打開的所述入口孔或穿過打開的所述出口孔從一個(gè)運(yùn)送裝置(04、05、06、17)轉(zhuǎn)移到沿輸送方向(7)位于下游的下一個(gè)運(yùn)送裝置,并且其中在所述轉(zhuǎn)運(yùn)裝置(12、13、16)的所述空轉(zhuǎn)位置上,所述入口孔(10)和/或所述出口孔(11)能夠通過沿著所述閘閥關(guān)閉路徑調(diào)節(jié)相關(guān)聯(lián)的所述閘閥(08、09)而打開或關(guān)閉。
2.如權(quán)利要求1所述的真空涂層設(shè)備,其特征在于,至少一個(gè)閘閥(08、09)可旋轉(zhuǎn)地安裝,并且能夠通過旋轉(zhuǎn)運(yùn)動在所述打開位置和壓力密封的所述關(guān)閉位置之間沿著所述閘閥關(guān)閉路徑調(diào)節(jié)。
3.如權(quán)利要求2所述的真空涂層設(shè)備,其特征在于,在所述閘閥(08、09)的指向所述入口孔(10)或所述出口孔(11)的一側(cè)上設(shè)有密封機(jī)構(gòu),所述密封機(jī)構(gòu)在所述閘閥的所述關(guān)閉位置上壓力密封地密封在所述工藝過程腔(02)的壁部和所述閘閥(08、09)之間的密封縫。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的真空涂層設(shè)備,其特征在于,所述轉(zhuǎn)運(yùn)裝置(12、13、16)具有至少一個(gè)環(huán)繞的運(yùn)送機(jī)構(gòu)(14、18),所述晶片元件(03)能夠從上面放置在所述運(yùn)送機(jī)構(gòu)上,并且在連續(xù)輸送時(shí)通過所述運(yùn)送機(jī)構(gòu)(14、18)的滾動驅(qū)動來輸送。
5.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的真空涂層設(shè)備,其特征在于,在所述運(yùn)送裝置(04、05、06、17)上的所述運(yùn)送機(jī)構(gòu)(14、18)和/或在所述轉(zhuǎn)運(yùn)裝置(12、13、16)上的所述運(yùn)送機(jī)構(gòu)(14、18)以傳送帶的類型、以傳送繩索的類型或以傳送金屬絲的類型構(gòu)成。
6.如權(quán)利要求5所述的真空涂層設(shè)備,其特征在于,所述運(yùn)送機(jī)構(gòu)(14、18)由金屬材料或聚合物材料,尤其是經(jīng)紡織的聚合物絲,或者陶瓷材料,尤其是經(jīng)紡織的陶瓷絲制成。
7.如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的真空涂層設(shè)備,其特征在于,所述轉(zhuǎn)運(yùn)裝置(12、13)的所述運(yùn)送機(jī)構(gòu)(14)通過至少兩個(gè)導(dǎo)向機(jī)構(gòu),尤其是導(dǎo)向輪(15)張緊,其中至少一個(gè)導(dǎo)向機(jī)構(gòu)(15)可旋轉(zhuǎn)地安裝,并且能夠在所述轉(zhuǎn)換位置和所述空轉(zhuǎn)位置之間轉(zhuǎn)動,其中所述運(yùn)送機(jī)構(gòu)(14)在所述轉(zhuǎn)換位置上沿運(yùn)送方向(07)延伸,并且其中所述運(yùn)送機(jī)構(gòu)(14)在所述空轉(zhuǎn)位置上設(shè)置在所述閘閥關(guān)閉路徑外。
8.如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的真空涂層設(shè)備,其特征在于,所述轉(zhuǎn)運(yùn)裝置(16)構(gòu)成為上游或下游的運(yùn)送裝置(17)的一體的組成部分,其中所述轉(zhuǎn)運(yùn)裝置(16)和所述運(yùn)送裝置(17)利用共同的運(yùn)送機(jī)構(gòu)(18)來運(yùn)送所述晶片元件(03),并且其中所述運(yùn)送裝置(17)的形成所述轉(zhuǎn)運(yùn)裝置(16)的部分能夠在所述轉(zhuǎn)換位置和所述空轉(zhuǎn)位置之間調(diào)節(jié)。
9.如權(quán)利要求8所述的真空涂層設(shè)備,其特征在于,所述轉(zhuǎn)運(yùn)裝置(16)和所述上游的或下游的運(yùn)送裝置(17)共同的運(yùn)送機(jī)構(gòu)(18)沿運(yùn)送方向(07)通過至少兩個(gè)導(dǎo)向機(jī)構(gòu),尤其是導(dǎo)向輪(19、20)張緊,其中至少一個(gè)導(dǎo)向機(jī)構(gòu)(19)可調(diào)節(jié)地安裝,并且能夠在所述轉(zhuǎn)換位置和所述空轉(zhuǎn)位置之間調(diào)節(jié)。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
- 簽名設(shè)備、檢驗(yàn)設(shè)備、驗(yàn)證設(shè)備、加密設(shè)備及解密設(shè)備
- 色彩調(diào)整設(shè)備、顯示設(shè)備、打印設(shè)備、圖像處理設(shè)備
- 驅(qū)動設(shè)備、定影設(shè)備和成像設(shè)備
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- 設(shè)備、主設(shè)備及從設(shè)備
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