[發(fā)明專利]金屬的電解陶瓷涂布方法、金屬的電解陶瓷涂布用電解液以及金屬材料

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980153647.5
• 申請日: 2009-12-10
• 公開（公告）號: CN102264952A
• 公開（公告）日: 2011-11-30
• 發(fā)明（設計）人: 須田新;小西知義
• 申請（專利權）人: 日本帕卡瀨精株式會社
• 主分類號: C25D11/06
• 分類號: C25D11/06;C25D11/04;C25D11/26;C25D11/30
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 吳娟;高旭軼

1.電解陶瓷涂布用電解液，所述電解陶瓷涂布用電解液在以下金屬的電解陶瓷涂布方法中使用：在電解液中，將選自鋁、鋁合金、鎂、鎂合金、鈦以及鈦合金的至少一種金屬作為陽極，在所述陽極的表面上產生輝光放電和/或電弧放電的同時進行陽極氧化處理，在所述金屬的表面上形成陶瓷被膜，

所述電解陶瓷涂布用電解液含有：水，水溶性的鋯化合物，絡合劑，碳酸根離子，選自堿金屬離子、銨離子以及有機堿的至少一種，

所述鋯化合物的含量以鋯換算濃度(X)計為0.0001～1mol/L，

所述絡合劑的濃度(Y)為0.0001～0.3mol/L，

所述碳酸根離子濃度(Z)為0.0002～4mol/L，

所述絡合劑的濃度(Y)相對于所述鋯換算濃度(X)的比(Y/X)為0.01以上，

所述碳酸根離子濃度(Z)相對于所述鋯換算濃度(X)的比(Z/X)為2.5以上，

導電率為0.2～20S/m以下。

2.權利要求1的電解陶瓷涂布用電解液，其中，還含有選自氧化物、氫氧化物、氮化物以及碳化物的至少一種難溶性粒子，

所述難溶性粒子的濃度為0.01～100g/L。

3.權利要求1或2的電解陶瓷涂布用電解液，其中，還含有選自硅、鈦、鋁、鈮、釔、鎂、銅、鋅、鈧以及鈰的至少一種金屬離子，

所述金屬離子的含量以該金屬換算濃度計為0.0001～1mol/L。

4.權利要求1～3中任一項的電解陶瓷涂布用電解液，其中，導電率為0.5～10S/m。

5.權利要求1～4中任一項的電解陶瓷涂布用電解液，其中，所述鋯化合物為碳酸鋯化合物。

6.權利要求1～5中任一項的電解陶瓷涂布用電解液，其中，作為所述陽極的金屬為鋁或者鋁合金，pH為7～12。

7.權利要求1～5中任一項的電解陶瓷涂布用電解液，其中，作為所述陽極的金屬為鎂或者鎂合金，pH為9～14。

8.權利要求1～5中任一項的電解陶瓷涂布用電解液，其中，作為所述陽極的金屬為鈦或者鈦合金，pH為7～14。

9.權利要求1～8中任一項的電解陶瓷涂布用電解液，其中，還含有水溶性的磷酸化合物，所述磷酸化合物的含量以磷換算濃度計為0.001～1mol/L。

10.金屬的電解陶瓷涂布方法，其中，在權利要求1～9中任一項的電解陶瓷涂布用電解液中，將選自鋁、鋁合金、鎂、鎂合金、鈦以及鈦合金的至少一種金屬作為陽極，使用至少一部分為正側的施加手段，在所述陽極的表面上產生輝光放電和/或電弧放電的同時進行陽極氧化處理，在所述金屬的表面上形成陶瓷被膜，

正側施加時的平均電流密度在0.5～40A/dm²的范圍，

在所述陽極氧化處理中，正側的負載比(T1)為0.02～0.5，負側的負載比(T2)為0～0.5，每單位時間的全部無施加的時間比例(T3)為0.35～0.95，同時滿足以下各式：

0≤T2/T1≤10

0.5≤T3/(T1+T2)≤20。

11.權利要求10的電解陶瓷涂布方法，其中，通過僅正側施加的單極電解法、或者作為正負復合施加的雙極電解法進行所述陽極氧化處理的至少一部分工序。

12.權利要求10或者11的電解陶瓷涂布方法，其特征在于，所述電壓波形的頻率為5～20000Hz，在選自矩形波、正弦波、梯形波以及三角波的至少一個波形中，控制正側以及負側的電流密度和/或電壓。

13.權利要求10～12中任一項的電解陶瓷涂布方法，其中，所述陽極氧化處理的至少一部分的工序通過電壓控制來進行，所述陽極氧化處理的另外一部分工序通過電流控制來進行。

14.權利要求11～13中任一項的電解陶瓷涂布方法，其中，在所述雙極電解法中，至少一部分的工序中對正側、負側以各個任意波形進行分別控制，將正電壓側與負電壓側同時通過電壓控制來進行，或者，將正電壓側與負電壓側同時通過電流控制來進行。