[發明專利]固體攝像裝置

無效

• 申請號: 200980153560.8
• 申請日: 2009-12-10
• 公開（公告）號: CN102272930A
• 公開（公告）日: 2011-12-07
• 發明（設計）人: 森三佳;藤原一夫;沖野徹;大竹悠介
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H04N5/335
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 汪惠民

1.一種固體攝像裝置，是將多個像素部以陣列狀排列的固體攝像裝置，

上述像素部具有：

光電轉換部，其由在基板內形成的第一導電型的擴散區域構成；

傳輸晶體管，其將積蓄在上述光電轉換部中的電荷傳輸到浮動擴散層；和

放大晶體管，其將被傳輸到上述浮動擴散層的電荷輸出到輸出線，

相鄰的上述光電轉換部之間、以及上述光電轉換部與構成上述浮動擴散層和上述放大晶體管的源極·漏極區域之間，分別用絕緣隔離部進行電隔離，

上述絕緣隔離部至少具有：在上述光電轉換部之間未配置上述放大晶體管的第一區域和在上述光電轉換部之間配置了上述放大晶體管的第二區域，

在上述絕緣隔離部的下方形成有第二導電型的隔離擴散層，

在上述第一區域中的上述絕緣隔離部的下方形成的上述隔離擴散層由第一雜質濃度的第一隔離擴散層構成，

在上述第二區域中的上述絕緣隔離部的下方形成的上述隔離擴散層由第二雜質濃度的第二隔離擴散層和在該第二隔離擴散層的下方形成的第一隔離擴散層構成，并且，第二雜質濃度高于第一雜質濃度，

位于上述第二區域中的上述絕緣隔離部之間的上述放大晶體管的源極·漏極區域形成在與上述第二隔離擴散層同時形成的阱區域內。

2.根據權利要求1所述的固體攝像裝置，其中，

上述放大晶體管與相鄰的至少一個像素部以共有的方式配置。

3.根據權利要求1所述的固體攝像裝置，其中，

上述第一隔離擴散層以及上述第二隔離擴散層是分別通過多次進行不同能量的離子注入而形成的。

4.根據權利要求1所述的固體攝像裝置，其中，

上述第一雜質濃度在1E14～1E19/cm³的范圍內，上述第二雜質濃度在1E15～1E20/cm³的范圍內。

5.根據權利要求4所述的固體攝像裝置，其中，

上述第一雜質濃度和上述第二雜質濃度的濃度差為1E1/cm³以上。

6.根據權利要求1所述的固體攝像裝置，其中，

在上述第二區域中的上述絕緣隔離部的下方形成的上述第一隔離擴散層形成得比在上述第一區域中的上述絕緣隔離部的下方形成的上述第一隔離擴散層深。

7.根據權利要求1所述的固體攝像裝置，其中，

上述基板由半導體基板和在該半導體基板上形成的半導體層構成，上述光電轉換部形成在上述半導體層內。

8.根據權利要求7所述的固體攝像裝置，其中，

上述半導體基板是第一導電型，上述半導體層是第二導電型。

9.根據權利要求7所述的固體攝像裝置，其中，

上述半導體基板以及上述半導體層都是第二導電型。

10.根據權利要求9所述的固體攝像裝置，其中，

上述半導體基板的雜質濃度比上述半導體層的雜質濃度高。

11.根據權利要求9所述的固體攝像裝置，其中，

在上述第二區域中的上述絕緣隔離部的下方形成的上述第一隔離擴散層與上述半導體基板的表面相接觸。

12.根據權利要求1所述的固體攝像裝置，其中，

上述光電轉換部的雜質濃度比上述第一隔離擴散層的上述第一雜質濃度低。

13.根據權利要求1所述的固體攝像裝置，其中，

上述光電轉換部的深度比上述第一隔離擴散層的深度淺。

14.根據權利要求1所述的固體攝像裝置，其中，

上述像素部還具有將積蓄在上述浮動擴散層中的剩余電荷排出的復位晶體管，

上述絕緣隔離部還具有在上述光電轉換部之間配置有上述復位晶體管的第三區域，

在上述第三區域中的上述絕緣隔離部的下方形成的上述隔離擴散層由上述第二隔離擴散層和在該第二隔離擴散層的下方形成的第一隔離擴散層構成，

位于上述第三區域中的上述絕緣隔離部之間的上述復位晶體管的源極·漏極區域形成在與上述第二隔離擴散層同時形成的阱區域內。