[發(fā)明專利]混合型透明導電電極無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200980153399.4 | 申請日: | 2009-10-30 |
| 公開(公告)號: | CN102365753A | 公開(公告)日: | 2012-02-29 |
| 發(fā)明(設計)人: | H.F.普恩;M.R.魯濱遜;C.厄本;J.K.J.范杜倫;J.R.希茨 | 申請(專利權)人: | 納米太陽能公司 |
| 主分類號: | H01L31/042 | 分類號: | H01L31/042;H01L31/05 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 混合 透明 導電 電極 | ||
1.一種方法,所述方法包括,
形成一種太陽能電池,其包括:a)用導電材料制成的比通常厚度要薄的 透明頂電極,其厚度為50nm或更小,和b)相互連接的納米線形成的網(wǎng), 其與該頂電極相接觸和/或被該頂電極覆蓋。
2.如權利要求1所述的方法,其中與另一電池相比,該頂電極和納米線 網(wǎng)提高了該太陽能電池的總功率輸出;除了以下不同外,該另一電池與該電 池完全相同:其僅使用a)該材料制成的頂電極層,其厚度和透光率等于該 頂電極與該納米線網(wǎng)的合計厚度和透光率,或b)相互連接的納米線網(wǎng),其 厚度等于該合計厚度和透光率。
3.如權利要求1所述的方法,其中該納米線僅使用溶劑簡單涂覆,而不 用粘合劑。
4.如權利要求3所述的方法,進一步包括隨后使用粘合劑在其上涂覆該 納米線。
5.如權利要求4所述的方法,其中該粘合劑為導電聚合物。
6.如權利要求1所述的方法,其中該納米線被覆蓋于該太陽能電池之 上,隨后使用計示硬度值為50-100的硬輥將其壓入該太陽能電池之中,由 此不需使用熱退火處理。
7.如權利要求1所述的方法,其中從該透明頂電極之任何位置至該網(wǎng)中 最近納米線的最大距離范圍為1至10微米。
8.如權利要求1所述的方法,其中從該透明頂電極之任何位置至該網(wǎng)中 最近納米線的最大距離范圍為2至5微米。
9.如權利要求1所述的方法,其中不帶該納米線的該透明頂電極的電阻 為至少大約每方塊500歐姆或更高。
10.如權利要求1所述的方法,其中不帶該納米線的該透明頂電極的電 阻為至少大約每方塊300歐姆或更高。
11.如權利要求1所述的方法,包括將該透明頂電極材料濺鍍至該納米 線上。
12.如權利要求1所述的方法,其中隨機放置該納米線。
13.如權利要求1所述的方法,其中通過壓力使該納米線與該透明頂電 極耦合,而不采用退火步驟,從而將該納米線連接形成一滲濾網(wǎng)。
14.如權利要求1所述的方法,其中該納米線與該透明頂電極耦合,而 不需加熱高于150℃。
15.如權利要求1所述的方法,其中該納米線與該透明頂電極耦合,而 不需加熱高于100℃。
16.如權利要求1所述的方法,其中帶有該納米線網(wǎng)層的該頂電極的透 光率為至少90%。
17.一種方法,所述方法包括,
形成一光伏吸收層和一結配合層;
形成具有第一厚度的混合型透明導電層,該層包括:
用于從該結配合層匯集電荷的各向同性層;
與該各向同性層接觸的納米線網(wǎng)層;
其中,與另一電池相比,該混合型透明導電層提高該太陽能電池的總光 伏效率;該另一電池僅使用a)其厚度等于第一厚度的各向同性層,或b)其 厚度等于第一厚度的納米線網(wǎng)層。
18.如權利要求17所述的方法,其包括:
其中該混合型透明導電層具有50nm或更少的厚度,且比通常的透明頂 電極薄,其中不帶該納米線的該混合型透明導電層的電阻為大于每方塊200 歐姆。
19.如權利要求17所述的方法,其中該混合型透明導電電極的透光率為 至少90%。
20.如權利要求17所述的方法,其中該納米線被覆蓋于該太陽能電池之 上,隨后使用計示硬度值為85的硬輥將其壓入該太陽能電池之中,由此不 需使用熱退火處理。
21.如權利要求17所述的方法,其中該各向同性層與該吸收層的上表面 形狀一致。
22.如權利要求17所述的方法,其中該各向同性層具有至少一個底表 面,其與該吸收層的上表面形狀一致地保持接觸,從而該各向同性層可以從 該吸收層匯集電荷。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





