[發明專利]用于SOI射頻開關的偏壓生成電路

有效

• 申請號: 200980152324.4
• 申請日: 2009-12-15
• 公開（公告）號: CN102265402A
• 公開（公告）日: 2011-11-30
• 發明（設計）人: A·B·博圖拉;E·J·諾瓦克
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司
• 主分類號: H01L29/00
• 分類號: H01L29/00
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 吳立明

1.一種用于操作半導體電路的方法，包括：

提供半導體電路，所述半導體電路包括：

射頻RF開關，包括位于絕緣體上半導體SOI襯底上的至少一個場效應晶體管；

用于傳送RF信號的RF信號線，其中所述RF信號線連接到所述RF開關；以及

從所述RF信號生成至少一個偏壓的電路；以及

將所述至少一個偏壓供應到所述SOI襯底的底部半導體層。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述半導體電路進一步包括至少一個偏壓饋線，所述偏壓饋線將所述至少一個偏壓供應到所述SOI襯底的所述底部半導體層。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述半導體結構進一步包括至少一個導電通孔，所述導電通孔電阻性地連接到所述底部半導體層，并且其中通過所述至少一個導電通孔將所述至少一個偏壓提供給所述底部半導體層。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述至少一個偏壓包括正偏壓，所述正偏壓所具有的幅度大于所述RF信號的周期內所述RF信號的最大正擺動幅度，并且其中所述至少一個偏壓包括負偏壓，所述負偏壓所具有的幅度大于所述RF信號的周期內所述RF信號的最大負擺動幅度。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述半導體電路進一步包括功率放大器，所述功率放大器連接到所述RF信號線并將所述RF信號提供到所述RF信號線。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述分壓器包括具有第一阻抗的第一組至少一個阻抗元件和具有第二阻抗的第二組至少一個阻抗元件的串聯連接，其中所述第一組至少一個阻抗元件的一端直接連接到所述RF信號線，并且其中所述第二組至少一個阻抗元件的一端直接連接到電接地。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述半導體電路進一步包括：

至少一個第一摻雜半導體區域，嵌入在所述底部半導體層中并且具有p型摻雜；以及

至少一個第二摻雜半導體區域，嵌入在所述底部半導體層中并且具有n型摻雜。

8.根據權利要求7所述的方法，進一步包括：

將所述整流電路從所述RF信號所生成的負偏壓施加到所述至少一個第一摻雜半導體區域；以及

將所述整流電路從所述RF信號所生成的正偏壓施加到所述至少一個第二摻雜半導體區域。

9.根據權利要求8所述的方法，進一步包括：

使用所述負偏壓和所述正偏壓中的一個來抑制累積區域的形成，在所述累積區域中，多數電荷載流子累積在所述底部半導體層中；以及

使用所述負偏壓和所述正偏壓中的另一個來抑制反型區域的形成，在所述反型區域中，少數電荷載流子累積在所述底部半導體層中。

10.一種半導體電路，包括：

射頻RF開關，包括位于絕緣體上半導體SOI襯底上的至少一個場效應晶體管；

RF信號線，用于傳送RF信號，其中所述RF信號線連接到所述RF開關；

分壓器，連接在所述RF信號線與電接地之間；

整流電路，連接到所述分壓器并從所述RF信號生成至少一個偏壓，其中所述至少一個偏壓隨著大于所述RF信號的周期的時間常數而變化；以及

至少一個偏壓饋線，其將所述至少一個偏壓提供給所述SOI襯底的底部半導體層。

11.根據權利要求10所述的半導體電路，進一步包括至少一個導電通孔，所述導電通孔電阻性地連接到所述底部半導體層，其中通過所述至少一個導電通孔將所述至少一個偏壓提供給所述底部半導體層。

12.根據權利要求10所述的半導體電路，其中所述至少一個偏壓包括正偏壓，所述正偏壓所具有的幅度大于所述RF信號的周期內所述RF信號的最大正擺動幅度。

13.根據權利要求10所述的半導體電路，其中所述至少一個偏壓包括負偏壓，所述負偏壓所具有的幅度大于所述RF信號的周期內所述RF信號的最大負擺動幅度。

14.根據權利要求10所述的半導體電路，其中所述至少一個偏壓包括正偏壓，所述正偏壓所具有的幅度大于所述RF信號的周期內所述RF信號的最大正擺動幅度，并且其中所述至少一個偏壓包括負偏壓，所述負偏壓所具有的幅度大于所述RF信號的周期內所述RF信號的最大負擺動幅度。