[發明專利]合成吲哚并咔唑化合物的聚合物綴合物有效
| 申請號: | 200980152111.1 | 申請日: | 2009-12-22 |
| 公開(公告)號: | CN102264398A | 公開(公告)日: | 2011-11-30 |
| 發明(設計)人: | R·巴格諾德;L·貝卡利亞;L·伯塔利昂拉瓦羅薩;D·克里斯科洛;C·勞倫澤托;V·麥尼洛;A·馬科尼;C·平切利;S·特拉沃薩 | 申請(專利權)人: | 克雷畢里斯股份有限公司 |
| 主分類號: | A61K47/48 | 分類號: | A61K47/48 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 李華英 |
| 地址: | 盧森堡*** | 國省代碼: | 盧森堡;LU |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 合成 吲哚 化合物 聚合物 綴合物 | ||
1.制備式(I)吲哚并咔唑化合物的聚合物綴合物的方法
其中
R1和R2是相同或不同的殘基并且各自獨立選自:
(a)氫,鹵素,取代的或未取代的低級烷基,取代的或未取代的低級烯基,取代的或未取代的低級炔基,羥基,低級烷氧基,羧基,低級烷氧基羰基,?;?,硝基,氨基甲?;?,低級烷基氨基羰基,-NR5R6,其中R5和R6各自獨立選自氫,取代的或未取代的低級烷基,取代的或未取代的低級烯基,取代的或未取代的低級炔基,取代的或未取代的芳基,取代的或未取代的雜芳基,取代的或未取代的芳烷基,取代的或未取代的低級烷基氨基羰基,取代的或未取代的低級芳基氨基羰基,烷氧羰基,氨基甲?;?,酰基或者R5和R6與氮原子相組合以形成雜環基團,
(b)-CO(CH2)jR4,其中j是1至6,而R4選自
(i)氫,鹵素,-N3,
(ii)-NR5R6,其中R5和R6如前文所定義,
(iii)-SR7,其中R7選自氫,取代的或未取代的低級烷基,取代的或未取代的低級烯基,取代的或未取代的低級炔基,取代的或未取代的芳基,取代的或未取代的雜芳基,取代的或未取代的芳烷基,-(CH2)aCO2R10(其中a是1或2,而其中R10選自氫和取代的或未取代的低級烷基)和-(CH2)aCO2NR5R6,
(iv)-OR8,-OCOR8,其中R8選自氫,取代的或未取代的低級烷基,取代的或未取代的低級烯基,取代的或未取代的低級炔基,取代的或未取代的芳基,取代的或未取代的雜芳基
(c)-CH(OH)(CH2)jR4,其中j和R4如前文所定義;
(d)-(CH2)dCHR11CO2R12或-(CH2)dCHR11CONR5R6,其中d是0至5,R11是氫,-CONR5R6,或-CO2R13,其中R13是氫或取代的或未取代的低級烷基,而R12是氫或取代的或未取代的低級烷基;
(e)-(CH2)kR14,其中k是2至6而R14是鹵素,取代的或未取代的芳基,取代的或未取代的雜芳基,-COOR15,-OR15,(其中R15是氫,取代的或未取代的低級烷基,取代的或未取代的低級烯基,取代的或未取代的低級炔基,取代的或未取代的芳基,取代的或未取代的雜芳基或?;?,-SR7(其中R7如前文所定義),-CONR5R6,-NR5R6(其中R5和R6如前文所定義)或-N3;
(f)-CH=CH(CH2)mR16,其中m是0至4,而R16是氫,取代的或未取代的低級烷基,取代的或未取代的低級烯基,取代的或未取代的低級炔基,取代的或未取代的芳基,取代的或未取代的雜芳基,-COOR15,-OR15(其中R15如前文所定義),-CONR5R6或-NR5R6(其中R5和R6如前文所定義);
(g)-CH=C(CO2R12)2,其中R12如前文所定義;
(h)-C≡C(CH2)nR16,其中n是0至4而R16如前文所定義;
(i)-CH2OR22,其中R22是三-低級烷基甲硅烷基,其中所述三個低級烷基是相同或不同的或者其中R22具有與R8相同的含義;
(j)-CH(SR23)2和-CH2-SR7,其中R23是低級烷基,低級烯基或低級炔基而其中R7如前文所定義;并且
R3是氫,鹵素,?;?,氨基甲?;?,取代的或未取代的低級烷基,取代的或未取代的烯基,取代的或未取代的低級炔基或氨基;并且
W1和W2獨立地是氫,羥基或者W1和W2一起代表氧;
而其中X是聚合物部分,
其中所述方法包括將通式(II)的ω-1H-咪唑-甲酰胺聚合物化合物
其中X如上文所定義,與通式(III)的吲哚并咔唑化合物反應
其中R1,R2,R3,W1和W2如上文所定義并且其任選受保護基團保護而其中Y代表離去基團,并且其中所述方法還任選包括脫保護基團R1,R2,R3,W1和W2以獲得式(I)化合物。
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