[發明專利]功率用半導體裝置有效
| 申請號： | 200980152025.0 | 申請日： | 2009-06-30 |
| 公開（公告）號： | CN102265404A | 公開（公告）日： | 2011-11-30 |
| 發明（設計）人： | 中田修平;渡邊昭裕;大塚健一;三浦成久 | 申請（專利權）人： | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L27/04;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人： | 許海蘭 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 功率 半導體 裝置 | ||
1.一種功率用半導體裝置，其特征在于，具備：
第1導電類型的半導體基板(20)，具有相互相向的第1主面以及第2主面；
第2導電類型的第1阱區域(41)，設置于所述第1導電類型的半導體基板的第1主面的表層的一部分；
第2導電類型的第2阱區域(42)，設置于所述第1導電類型的半導體基板的第1主面的表層的一部分，從上面看到的面積比所述第1阱區域小；
柵極絕緣膜(70)，設置在所述第2阱區域的表面上；
場氧化膜(30)，設置于所述第1阱區域的表面上的一部分，膜厚比所述柵極絕緣膜大；
源電極(10)，將所述第1阱區域和所述第2阱區域進行電連接；
在所述柵極絕緣膜和所述場氧化膜之上相接而連續地形成的柵電極(50)；
柵極焊盤(11)，設置于所述第1阱區域的上方，與所述柵電極電連接；以及
漏電極(13)，設置于所述半導體基板的第2主面，
在與所述場氧化膜相接地在所述場氧化膜的上表面設置的所述柵電極從所述場氧化膜露出的部位的所述柵極絕緣膜與所述場氧化膜的接合部附近，在所述場氧化膜的外周的內側設置有所述第1阱區域的外周邊界。
2.一種功率用半導體裝置，其特征在于，具備：
第1導電類型的半導體基板(20)，具有相互相向的第1主面以及第2主面；
第2導電類型的第1阱區域(41)，設置于所述第1導電類型的半導體基板的第1主面的表層的一部分；
第2導電類型的第2阱區域(42)，設置于所述第1導電類型的半導體基板的第1主面的表層的一部分，從上面看到的面積比所述第1阱區域小；
柵極絕緣膜(70)，設置在所述第2阱區域的表面上；
場氧化膜(30)，設置于所述第1阱區域的表面上的一部分，膜厚比所述柵極絕緣膜大；
源電極(10)，將所述第1阱區域和所述第2阱區域進行電連接；
在所述柵極絕緣膜和所述場氧化膜之上相接而連續地形成的柵電極(50)；
柵極焊盤(11)，設置于所述第1阱區域的上方，與所述柵電極電連接；以及
漏電極(13)，設置于所述半導體基板的第2主面，
直至與所述場氧化膜相接地在所述場氧化膜的上表面設置的所述柵電極從所述場氧化膜露出的部位的所述柵極絕緣膜和所述場氧化膜的接合部正下方為止，設置有所述第1阱區域。
3.根據權利要求1或者2所述的功率用半導體裝置，其特征在于，
在所述第1阱區域處于所述場氧化膜的外周的外側的部位中，設置有用于將所述第1阱區域和所述源電極進行電連接的接觸孔(60)。
4.根據權利要求3所述的功率用半導體裝置，其特征在于，
在所述場氧化膜和所述柵極絕緣膜的邊界的外周，在從上面看到的形成有所述柵極絕緣膜的區域小于180度的角部中，在形成有所述場氧化膜的區域的內側形成了柵電極。
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