[發(fā)明專利]氧化銦系燒結(jié)體及濺射靶

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200980150518.0
• 申請(qǐng)日: 2009-06-01
• 公開（公告）號(hào): CN102245533A
• 公開（公告）日: 2011-11-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 井上一吉;宇都野太;川島浩和;矢野公規(guī);笘井重和;笠見雅司;寺井恒太
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 出光興產(chǎn)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C04B35/00
• 分類號(hào): C04B35/00;C23C14/34
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 蔣亭

1.一種燒結(jié)體，在氧化銦結(jié)晶中固溶有選自鋁及鈧中的一種以上的金屬的氧化物，且銦與選自鋁及鈧中的一種以上的金屬的原子比，即(一種以上的金屬的合計(jì))/(一種以上的金屬和In的合計(jì))×100為0.001％以上且不足45％。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的燒結(jié)體，其中，所述原子比為0.01～30原子％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的燒結(jié)體，其中，所述原子比為0.5～15原子％。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的燒結(jié)體，其中，所述氧化銦結(jié)晶為方鐵錳礦構(gòu)造。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的燒結(jié)體，其中，所述氧化銦的結(jié)晶粒徑不足10μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的燒結(jié)體，其中，含有氧化銦及酸化鈧，且所述氧化銦的結(jié)晶的晶格常數(shù)在InScO₃和In₂O₃之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的燒結(jié)體，其中，含有氧化銦及氧化鋁，且所述氧化銦的結(jié)晶的晶格常數(shù)在InAlO₃和In₂O₃之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的燒結(jié)體，其中，還含有10～5000原子ppm的正4價(jià)以上的金屬離子。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的燒結(jié)體，其中，含有100～2000原子ppm的所述正4價(jià)以上的金屬離子。

10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的燒結(jié)體，其中，所述正4價(jià)以上的金屬離子為錫離子或鈰離子中的任一者或兩者。

11.權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的燒結(jié)體的制造方法，其中，將選自鋁及鈧中的一種以上的金屬的氧化物及氧化銦的粉末混合，在1200℃～1600℃的溫度下燒成2～200小時(shí)。

12.權(quán)利要求8～10中任一項(xiàng)所述的燒結(jié)體的制造方法，其中，將選自鋁及鈧中的一種以上的金屬的氧化物、氧化銦以及正4價(jià)以上的金屬的粉末混合，在1200℃～1600℃的溫度下燒成2～200小時(shí)。

13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的燒結(jié)體的制造方法，其中，在氧化氣氛中進(jìn)行燒成。

14.一種濺射靶，使用權(quán)利要求1～10中任一項(xiàng)所述的燒結(jié)體而制得。

15.一種金屬氧化物薄膜，其是使用權(quán)利要求14所述的濺射靶成膜的。

16.一種半導(dǎo)體膜，由權(quán)利要求15所述的金屬氧化物薄膜構(gòu)成。

17.一種薄膜晶體管，其使用權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體膜。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的薄膜晶體管，其為溝道蝕刻型。

19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的薄膜晶體管，其為蝕刻阻擋型。

20.一種半導(dǎo)體元件，其具備權(quán)利要求17～19中任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管。