[發明專利]用于捕捉通過生物介質的聲和電磁場的作用在初始晶體結構中誘導的變化的方法和用于執行所述方法的裝置、用于在復制晶體的結構中復制初始晶體結構的變化的方法(變型)和用于執行所述方法的裝置(變型)、用于對生物對象施加影響的方法(變型)和用于執行所述方法的裝置

無效

• 申請號: 200980150452.5
• 申請日: 2009-10-28
• 公開（公告）號: CN102256664A
• 公開（公告）日: 2011-11-23
• 發明（設計）人: 列夫·達維多維奇·拉斯涅特索夫;I·Y·沙瓦特斯曼;V·V·車爾潘尼可夫;V·M·穆德羅夫;M·E·韋諾庫羅夫
• 申請（專利權）人: 列夫·達維多維奇·拉斯涅特索夫
• 主分類號: A61N5/00
• 分類號: A61N5/00;A61N7/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 張陽

1.一種用于捕捉通過生物介質的聲和電磁場的作用在初始晶體結構中誘導的變化的方法，所述方法包括：使用其結構包括至少一個半導體結的晶體，將所述晶體定位在與置于容器中的所述生物介質直接接觸的絕緣板上，并且通過將所述晶體結構的半導體結暴露于截止極性電脈沖來捕捉所述晶體結構中的變化。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述絕緣板由具有不大于30dB/cm的聲波吸收系數和不大于0.1奈培的電磁波吸收系數的材料制造。

3.根據權利要求1和2中的任一項所述的方法，其特征在于，所述晶體的半導體結暴露于具有3-4V的幅度和0.1-1秒的持續時間的方形電脈沖的作用。

4.根據權利要求1和2中的任一項所述的方法，其特征在于，生物介質預先暴露于滅活劑的作用，并且在所述生物介質的場的峰值水平處執行所述晶體結構的激勵，所述峰值水平在所使用的滅活劑的作用下根據所使用的生物介質的類型通過實驗確定。

5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，生物介質預先暴露于滅活劑的作用，并且在所述生物介質的場的峰值水平處執行所述晶體結構的激勵，所述峰值水平在所使用的滅活劑的作用下根據所使用的生物介質的類型通過實驗確定。

6.一種用于在復制晶體結構中復制發生在初始晶體結構中的變化的方法，所述方法包括：使用其結構包括至少一個半導體結的晶體，其中通過根據權利要求1、2、3、4和5中的任一項所述的方法在所述初始晶體結構中捕捉通過生物介質的聲和電磁場的作用誘導的變化；將兩晶體都定位在注水中空絕緣筒的一個面上；并在隨后將所述初始晶體的半導體結重復暴露于正極性再現脈沖，其后將所述復制晶體的半導體結暴露于捕捉截止極性脈沖。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述絕緣筒由具有不大于30dB/cm的聲波吸收系數和不大于0.1奈培的電磁波吸收系數的材料制造。

8.根據權利要求6和7中的任一項所述的方法，其特征在于，所述晶體的半導體結暴露于具有3-4V的幅度和0.1-1秒的持續時間的方形電脈沖的作用。

9.一種用于在復制晶體結構中復制發生在初始晶體結構中的變化的方法，所述方法包括：使用其結構包括至少一個半導體結的晶體，其中通過根據權利要求1、2、3、4和5中的任一項所述的方法在所述初始晶體結構中捕捉通過生物介質的聲和電磁場的作用誘導的變化；將所述復制晶體定位在與置于容器中的生物介質直接接觸的絕緣板上，其中將所述初始晶體的半導體結重復暴露于正極性再現脈沖的作用，生成的電流振蕩調制大功率半導體激光器的光通量以曝光置于具有輻射對稱形狀的容器中的液體介質，其后將所述復制晶體的半導體結暴露于捕捉截止極性脈沖的作用。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述絕緣板由具有不大于30dB/cm的聲波吸收系數和不大于0.1奈培的電磁波吸收系數的材料制造。

11.根據權利要求9和10中的任一項所述的方法，其特征在于，所述晶體的半導體結暴露于具有3-4V的幅度和0.1-1秒的持續時間的方形電脈沖的作用。

12.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，優選的液體介質是生理鹽水。

13.一種用于對生物對象造成影響的方法，包括：使用其結構包括至少一個半導體結的晶體作為暴露源，通過根據權利要求1、2、3、6和9中的任一項所述的方法通過所述晶體結構捕捉通過生物介質的聲和電磁場的作用誘導的變化；將所述晶體定位在充滿水性介質的中空絕緣筒的一個面上，該絕緣筒具有與所述生物對象直接接觸的另一個面，并且將所述晶體的半導體結重復暴露于正極性電脈沖。

14.根據權利要求13所述的方法，其特征還在于，在所述晶體出口獲得的電流振蕩調制發光二極管的光通量以曝光水性介質。

15.根據權利要求13和14中任一項所述的方法，其特征在于，所述絕緣筒由具有不大于30dB/cm的聲波吸收系數和不大于0.1奈培的電磁波吸收系數的材料制造。