[發明專利]等離子體處理系統中的等離子體限制結構

有效

• 申請號: 200980150203.6
• 申請日: 2009-12-16
• 公開（公告）號: CN102246603A
• 公開（公告）日: 2011-11-16
• 發明（設計）人: 艾利克·哈德森;安德里亞斯·費舍爾
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H05H1/24
• 分類號: H05H1/24;H05H1/34
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 周文強;李獻忠

1.一種配置用于在襯底的等離子體處理中限制等離子體處理室中的等離子體的可移動等離子體限制結構，包括：

配置用于環繞所述等離子體的可移動面向等離子體結構；和

可移動導電結構，其設置于所述可移動面向等離子體結構的外部，并配置為與所述可移動面向等離子體結構作為單個裝置展開和收縮以促進所述襯底的處理，所述可移動導電結構在所述等離子體處理中為射頻(RF)接地，其中在所述等離子體處理中所述可移動面向等離子體結構設置于所述等離子體和所述可移動導電結構之間，以便在所述等離子體處理中來自于所述等離子體的RF流經由所述可移動面向等離子體結構流向所述可移動導電結構。

2.根據權利要求1所述的可移動等離子體限制結構，其中所述可移動面向等離子體結構為圓柱形形狀的結構且由抗所述等離子體刻蝕的材料制成。

3.根據權利要求2所述的可移動等離子體限制結構，其中所述可移動面向等離子體結構由石英制成。

4.根據權利要求2所述的可移動等離子體限制結構，其中所述可移動面向等離子體結構由摻雜的SiC制成。

5.根據權利要求1所述的可移動等離子體限制結構，其中所述可移動面向等離子體結構配置為屏蔽所述可移動導電結構以避免在所述等離子體處理中暴露于所述等離子體。

6.根據權利要求1所述的可移動等離子體限制結構，其中至少一個槽形成于所述可移動面向等離子體結構和所述可移動導電結構兩者上以在所述等離子體處理中促進廢氣的排除。

7.根據權利要求6所述的可移動等離子體限制結構，其中所述可移動面向等離子體結構為圓柱形形狀的結構且所述至少一個槽沿所述圓柱形形狀的結構的軸線設置。

8.根據權利要求1所述的可移動等離子體限制結構，進一步包括可斷開的RF觸體，其配置為當所述可移動導電結構展開時通向所述接地的路徑經由所述可斷開的RF觸體形成。

9.一種具有等離子體處理室的等離子體處理系統，包括：

可移動面向等離子體結構，其配置為環繞等離子體，其中所述等離子體產生于在所述等離子體處理室內進行的襯底的等離子體處理中。

可移動導電結構，其設置于所述可移動面向等離子體結構的外部，且配置為與所述可移動面向等離子體結構作為單個裝置展開和收縮以促進所述襯底的處理，所述可移動導電結構在所述等離子體處理中為射頻(RF)接地，其中在所述等離子體處理中所述可移動面向等離子體結構設置于所述等離子體和所述可移動導電結構之間，以便在所述等離子體處理中來自于所述等離子體的RF流經由所述可移動面向等離子體結構流向所述可移動導電結構；和

傳導帶組，其耦合于所述可移動導電結構，其中當所述可移動導電結構展開和收縮時所述傳導帶組適應所述可移動導電結構而為所述RF流提供低阻抗接地路徑。

10.根據權利要求9所述的等離子體處理系統，其中所述可移動面向等離子體結構為圓柱形形狀的結構且由抗所述等離子體刻蝕的材料制成。

11.根據權利要求10所述的等離子體處理系統，其中所述可移動面向等離子體結構由石英制成。

12.根據權利要求10所述的等離子體處理系統，其中所述可移動面向等離子體結構由摻雜的SiC制成。

13.根據權利要求9所述的等離子體處理系統，其中所述可移動面向等離子體結構配置為屏蔽所述可移動導電結構以避免在所述等離子體處理中暴露于所述等離子體。

14.根據權利要求9所述的等離子體處理系統，其中至少一個槽形成于所述可移動面向等離子體結構和所述可移動導電結構兩者上以在所述等離子體處理中促進廢氣的排除。

15.根據權利要求14所述的等離子體處理系統，其中所述可移動面向等離子體結構為圓柱形形狀的結構且所述至少一個槽沿所述圓柱形形狀的結構的軸線設置。

16.根據權利要求9所述的等離子體處理系統，進一步包括可斷開的RF觸體，其配置為當所述可移動導電結構展開時通向所述接地的路徑經由所述可斷開的RF觸體形成。