[發明專利]具有改進的空間模式的高功率VCSEL有效
| 申請號: | 200980149700.4 | 申請日: | 2009-12-01 |
| 公開(公告)號: | CN102246367A | 公開(公告)日: | 2011-11-16 |
| 發明(設計)人: | J.S.科爾布;M.米勒;S.溫特施泰因;U.恩斯特 | 申請(專利權)人: | 皇家飛利浦電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01S5/065 | 分類號: | H01S5/065;H01S5/183;H01S5/42;B41J2/455;G06K15/12 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 景軍平;劉鵬 |
| 地址: | 荷蘭艾*** | 國省代碼: | 荷蘭;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 改進 空間 模式 功率 vcsel | ||
1.一種VCSEL裝置,其包括:
光學增益介質(8),其布置于第一DBR(9)與第二DBR(7)之間,
所述第一、第二DBR(7,9)形成激光腔且被設計成允許所述激光腔中的自容式激光發射,且
所述第二DBR(7)對于在所述激光腔中諧振的激光輻射是部分透明的;以及,
光學元件,其布置于所述激光腔的光軸上所述激光腔外的所述第二DBR(7)的側部上,
所述光學元件具有朝向所述第二DBR(7)的凹表面(5)且凹表面(5)被設計成將透過所述第二DBR(7)發射的激光輻射的一部分反射回到所述激光腔內,
????其中所述凹表面(5)的曲率半徑R與所述凹表面(5)和所述增益介質(8)之間的距離d的比值R/d在1與2之間的范圍內。
2.根據權利要求1所述的VCSEL裝置,
其中,朝向所述第二DBR(7)的所述凹表面(5)對于所述激光輻射具有20%與30%之間的反射率。
3.根據權利要求1或2所述的VCSEL裝置,
其中,朝向所述第二DBR(7)的所述凹表面(5)是微透鏡(4)的內表面。
4.根據權利要求3所述的VCSEL裝置,
其中,所述微透鏡(4)是平凸透鏡。
5.根據權利要求1或2所述的VCSEL裝置,
其中,朝向所述第二DBR(7)的所述凹表面(5)是安裝在所述第二DBR(7)上的光學元件的內表面。
6.根據權利要求1所述的VCSEL裝置,
其中,所述凹表面(5)與所述增益介質(8)之間的所述距離≥1mm。
7.一種VCSEL陣列,其包括在共同基板(11)上的若干根據權利要求1至6中任一項所述的VCSEL裝置。
8.一種利用激光輻射來生成圖像,特別是用于使印刷結構成像的裝置,該裝置包括至少一個根據權利要求7所述的VCSEL陣列。
9.利用激光輻射將根據權利要求7所述的VCSEL陣列用于生成圖像,特別地用于使印刷結構成像的用途。
10.印刷基板處理設備,特別是印刷機,其包括至少一個根據權利要求8所述的裝置。
11.印刷結構處理設備,特別是板設置機,其包括至少一個根據權利要求8所述的裝置。
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