[發明專利]深溝槽背接觸光伏太陽能電池

有效

• 申請號: 200980149558.3
• 申請日: 2009-11-12
• 公開（公告）號: CN102246324A
• 公開（公告）日: 2011-11-16
• 發明（設計）人: 胡馬云·阿克特·穆戈爾
• 申請（專利權）人: 矽利康有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/068
• 代理公司: 中國商標專利事務所有限公司 11234
• 代理人: 萬學堂;曾海艷

1.一種用半導體晶圓制作光伏聚光太陽能電池的方法，所述晶圓包括正面和背面，所述方法包括以下步驟：

(a)摻雜所述晶圓的背面以提供在所述晶圓背面的第一摻雜區域；

(b)在所述背面和所述正面沉積鈍化層；

(c)在所述背面形成穿過所述鈍化層的深溝槽；

(d)摻雜所述背面以提供在所述深溝槽內的第二摻雜區域，所述第二摻雜區域的摻雜與所述第一摻雜區域的摻雜相反；

(e)形成穿過所述背面鈍化層并到達所述第一摻雜區域的開口；和

(f)在所述背面形成電觸點以電連接所述第一摻雜區域和第二摻雜區域。

2.如權利要求1所述的方法，其中，所述第一摻雜區域和第二摻雜區域的電觸點之間通過刻劃所述背面來實現電絕緣。

3.如權利要求1或2所述的方法，其中，所述電觸點在步驟(f)中采用非電鍍的方法形成。

4.如權利要求3所述的方法，其中，所述非電鍍的方法包括以下一個或多個步驟：

(i)非電鍍鎳沉積；

(ii)非電鍍鎳固化；

(iii)非電鍍銅沉積，和；

(iv)在銅表面進行銀鈍化。

5.如以上任一權利要求所述的方法，其中，所述步驟(a)中背面的摻雜是通過涂敷摻雜物源物質和加熱實現的。

6.如權利要求5所述的方法，其中，所述晶圓被加熱到大約1000℃。

7.如權利要求5或6所述的方法，其中，所述加熱是采用直通爐的方式實現的。

8.如權利要求5或6所述的方法，其中，所述加熱是在晶體管式爐中進行的。

9.如權利要求5-8中任一項所述的方法，其中，所述加熱維持到產生100Ω/方塊的擴散所需的時間。

10.如上述任一項權利要求所述的方法，其中，所述步驟(b)中沉積的鈍化層使所述正面和背面的復合速度低于500cm/s。

11.如上述任一項權利要求所述的方法，其中，所述步驟(c)中的溝槽是采用脈沖激光、水射流、激光微射流或金剛石刻劃形成的。

12.如上述任一項權利要求所述的方法，其中，所述步驟(c)中的深溝槽深至所述晶圓正面的一個擴散長度內。

13.如上述任一項權利要求所述的方法，其中，所述背面上形成有多個溝槽。

14.如權利要求13所述的方法，其中，所述溝槽之間的間隔等距，該間隔小于兩個擴散深度的距離。

15.如上述任一項權利要求所述的方法，其中，在步驟(d)中，所述摻雜物在溝槽內的擴散達到一個結深，足以提供小于100Ω/方塊的表面電阻。

16.如上述任一項權利要求所述的方法，其中，在步驟(e)中，所述開口是通過脈沖激光、水射流、激光微射流或金剛石刻劃的方式穿過所述背面鈍化層形成的。

17.如權利要求1-15任一項所述的方法，其中，在步驟(e)中，所述開口是通過對所述鈍化層進行絲網印刷刻蝕的方法穿過所述背面形成的。

18.如上述任一項權利要求所述的方法，其中，在所述溝槽之間形成多個穿過所述背面的長開口。

19.如上述任一項權利要求所述的方法，其中，所述第一摻雜區域的類型和所述晶圓的相同。

20.如上述任一項權利要求所述的方法，其中，所述第一摻雜區域為p⁺型摻雜區域。

21.如上述任一項權利要求所述的方法，其中，一個晶圓上形成有多個太陽能電池形。

22.如權利要求21所述的方法，其中，在步驟(f)之后，所述晶圓被刻劃和切割成多個獨立于所述晶圓的太陽能電池。