[發明專利]具有順服涂層的靜電夾盤無效
| 申請號: | 200980149401.0 | 申請日: | 2009-12-10 |
| 公開(公告)號: | CN102246288A | 公開(公告)日: | 2011-11-16 |
| 發明(設計)人: | 阿施文·普魯黑特;威廉·D·李;馬文·拉封丹;理查德·澤祖特 | 申請(專利權)人: | 艾克塞利斯科技公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 李敬文 |
| 地址: | 美國馬*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 順服 涂層 靜電 | ||
1.一種靜電夾盤,用于夾箝基板和控制相關聯的熱傳遞,該靜電夾盤包括:
陶瓷元件,包括陶瓷表面;以及
順服層,包括低摩擦表面,所述低摩擦表面覆蓋陶瓷表面并提供用于夾箝基板的夾箝表面。
2.如權利要求1所述的靜電夾盤,其中順服層包括有機硅化物。
3.如權利要求1所述的靜電夾盤,其中順服層包括
4.如權利要求1所述的靜電夾盤,其中順服層包括1微米到大約5微米的寬度。
5.如權利要求1所述的靜電夾盤,其中陶瓷元件包括基于氮化鋁的材料。
6.如權利要求1所述的靜電夾盤,其中順服層包括使順服層對基板的接觸比例小于100%的表面構形圖案,以及其中在順服層下的陶瓷表面包括實質上平坦的表面。
7.如權利要求1所述的靜電夾盤,其中順服層的表面構形包括以接觸島狀物而加以圖案化的表面構形,接觸島狀物使順服層的接觸比例小于100%。
8.如權利要求1所述的靜電夾盤,其中順服層符合陶瓷元件的陶瓷表面,以及其中陶瓷表面位于順服層下,該陶瓷表面不包括平坦的表面,而是包括使順服層對基板的接觸比例小于100%的表面構形圖案。
9.如權利要求1所述的靜電夾盤,其中順服層包括涂覆有或有機硅化物的層的納米纖維。
10.如權利要求1所述的靜電夾盤,其中根據足以夾箝基板的夾箝力,順服層包括1微米到5微米的厚度。
11.如權利要求1所述的靜電夾盤,其中陶瓷元件包括溝槽,而順服層符合陶瓷元件的溝槽。
12.如權利要求1所述的靜電夾盤,其中順服層包括
13.如權利要求1所述的靜電夾盤,其中順服層包括含氟聚合物涂層。
14.一種靜電夾盤,用于夾箝基板和控制相關聯的熱傳遞,該靜電夾盤包括:
夾箝元件;以及
順服層,包括順服材料和用于夾箝基板的低摩擦夾箝表面。
15.如權利要求14所述的靜電夾盤,其中順服層材料包括或有機硅化物。
16.如權利要求14所述的靜電夾盤,其中根據足以夾箝基板的夾箝力,順服層包括1微米到5微米的厚度;其中順服層的表面構形包括多個特征,該多個特征從順服層開始在順服層下延伸以用于接觸基板;其中該多個特征包括陶瓷材料、順服層材料、或陶瓷材料和順服層材料二者;并且其中該多個特征包括彼此分開的皺摺、溝槽、微點和/或島狀特征以用于接觸基板。
17.一種形成靜電夾盤的方法,包括:
形成用于基板的夾箝元件,夾箝元件包括陶瓷材料和陶瓷表面;以及
以順服層材料涂覆陶瓷表面而覆蓋陶瓷元件。
18.如權利要求17所述的方法,其中順服層的表面構形包括多個特征,該多個特征從順服層開始在順服層材料下延伸以用于接觸基板;其中該多個特征包括陶瓷材料、順服層材料、或陶瓷材料和順服層材料二者。
19.如權利要求17所述的方法,其中順服層材料包括或有機硅化物。
20.如權利要求17所述的方法,其中順服層的表面構形包括特征,該特征包括彼此分開的皺摺、溝槽、微點和/或島狀特征以用于接觸基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





