[發明專利]制造用于物理氣相沉積P-型透明導電膜的靶的材料無效
| 申請號： | 200980149365.8 | 申請日： | 2009-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN102245797A | 公開（公告）日： | 2011-11-16 |
| 發明（設計）人： | 蓋度·許貝里希茨;格里艾特·德里斯;達安·格德米;邁克爾·諾蘭;西蒙·D·埃利奧特 | 申請（專利權）人： | 尤米科爾公司 |
| 主分類號： | C23C14/34 | 分類號： | C23C14/34;C01F11/02;C01G3/02 |
| 代理公司： | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人： | 張穎;樊衛民 |
| 地址： | 比利時*** | 國省代碼： | 比利時;BE |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制造 用于 物理 沉積 透明 導電 材料 | ||
【權利要求書】：
1.用于制造p-型透明導電薄膜的靶的粉末狀氧化物材料(MxM′y)Cu2+aO2+b，其中-0.2≤a≤0.2，-0.2≤b≤0.2，并且
-M′為Sr，M為Ba和二價Cu中的一種或兩種，x＞0、y＞0，并且x+y＝1±0.2；或者
-M為二價Cu，x＝1±0.2，并且y＝0。
2.權利要求1的粉末狀氧化物材料，y＞0，其特征在于M′＝Sr且M＝Ba。
3.權利要求2的粉末狀氧化物材料，其特征在于0＜x＜0.20。
4.權利要求3的粉末狀氧化物材料，其特征在于0.02≤x≤0.06。
5.權利要求1-4任一項的粉末狀氧化物材料(MxM′y)Cu2+aO2+b在制造用于p-型透明導電薄膜的靶中的應用。
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