[發(fā)明專利]通過電傳導(dǎo)材料的噴霧施加形成的半導(dǎo)體裸片互連無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200980149285.2 | 申請日: | 2009-12-09 |
| 公開(公告)號: | CN102246298A | 公開(公告)日: | 2011-11-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | J·S·利爾;S·麥格拉思;S·潘格爾勒 | 申請(專利權(quán))人: | 垂直電路公司 |
| 主分類號: | H01L23/48 | 分類號: | H01L23/48;H01L23/12 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 王茂華;董典紅 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 通過 傳導(dǎo) 材料 噴霧 施加 形成 半導(dǎo)體 互連 | ||
1.一種用于在多個裸片上形成互連端子的方法,每個裸片具有有源側(cè)、互連邊界和與互連邊緣相鄰的互連側(cè)壁,并且每個裸片具有在所述互連邊界中布置的互連焊盤,所述方法包括:
形成所述裸片的堆疊,其中所述堆疊中的連續(xù)裸片由間隔物隔開,并且所述裸片被布置成使得所述互連側(cè)壁大體上位于與所述裸片的有源側(cè)的平面垂直的平面中,并且所述間隔物關(guān)于所述互連邊緣偏移使得暴露所述互連邊界的至少部分;以及
以相對于所述裸片的有源側(cè)的平面呈小于90°并且大于0°的噴射角,引導(dǎo)噴霧化的傳導(dǎo)材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中在形成所述互連端子之后,將所述裸片分離并且單獨(dú)處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中將所述裸片和間隔物進(jìn)一步處理為堆疊裸片組件。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中附加裸片構(gòu)成所述間隔物。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其中所述附加裸片是“虛擬”裸片。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其中所述附加裸片是有源裸片。
7.一種用于在堆疊裸片組件上形成互連端子的方法,每個裸片具有有源側(cè)、互連邊界和與互連邊緣相鄰的互連側(cè)壁,并且每個裸片具有在所述互連邊界中布置的互連焊盤,所述方法包括:
形成所述裸片的堆疊,其中所述堆疊中的連續(xù)裸片由間隔物隔開,并且所述裸片被布置成使得所述互連側(cè)壁全部大體上位于與所述裸片的有源側(cè)的平面垂直的平面中,并且所述間隔物關(guān)于所述互連邊緣偏移使得暴露所述互連邊界的至少部分;以及以相對于所述裸片的有源側(cè)的平面呈小于90°并且大于0°的噴射角引導(dǎo)噴霧化的傳導(dǎo)材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中附加裸片構(gòu)成所述間隔物。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中所述附加裸片是“虛擬”裸片。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中所述附加裸片是有源裸片。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其中所述附加裸片被布置成使得它們的互連側(cè)壁全部大體上位于與所述裸片的有源側(cè)的平面垂直的平面中,并且使得暴露所述附加裸片的互連邊界的至少部分。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其中通過以相對于所述附加裸片的有源側(cè)的平面呈小于90°并且大于0°的噴射角,引導(dǎo)噴霧化的傳導(dǎo)材料,所述附加裸片被提供有互連端子。
13.一種用于形成電互連的堆疊裸片組件的方法,包括:
根據(jù)權(quán)利要求7所述的在堆疊裸片組件上形成互連端子;以及
此后施加電傳導(dǎo)互連材料的走線以連接互連端子。
14.堆疊中的多個裸片,每個裸片具有有源側(cè)、互連邊界和與互連邊緣相鄰的互連側(cè)壁,每個裸片具有在所述互連邊界中的互連焊盤,并且具有互連端子,所述互連端子構(gòu)成從所述焊盤到所述互連邊緣并且在所述互連邊緣和所述互連側(cè)壁之上形成的線。
15.一種堆疊裸片組件,每個裸片具有有源側(cè)、互連邊界和與互連邊緣相鄰的互連側(cè)壁,并且每個裸片具有在所述互連邊界中布置的互連焊盤;所述組件包括:
所述裸片的堆疊,其中所述堆疊中的連續(xù)裸片由間隔物隔開,并且所述裸片被布置成使得所述互連側(cè)壁大體上位于與所述裸片的有源側(cè)的平面垂直的平面中,并且所述間隔物關(guān)于所述互連邊緣偏移;以及
互連端子,構(gòu)成從互連焊盤到所述互連邊緣并且在所述互連邊緣和所述互連側(cè)壁之上形成的線。
16.一種用于對偏移的裸片堆疊組件進(jìn)行互連的方法,包括:
在由裸片側(cè)壁和下層表面形成的內(nèi)角處沉積介電材料以形成圓角;以及形成經(jīng)過所述圓角表面之上的互連走線。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,其中沉積所述介電材料以形成所述圓角包括沉積底部填充材料使得所述底部填充材料形成具有傾斜表面的圓角,其中形成所述互連走線包括引導(dǎo)噴霧化的傳導(dǎo)材料以在所述圓角的所述傾斜表面之上形成線。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法,其中沉積所述介電材料包括形成大體上平坦的傾斜表面。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法,其中沉積所述介電材料包括形成輕微凹入的傾斜表面。
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