[發明專利]復合高反射層

有效

• 申請號: 200980149203.4
• 申請日: 2009-12-07
• 公開（公告）號: CN102742037A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: 詹姆斯·伊貝斯頓;酈挺;莫妮卡·漢森
• 申請（專利權）人: 克利公司
• 主分類號: H01L33/46
• 分類號: H01L33/46;G02B5/08
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種發光二極管(LED)芯片，包括：

有源區，位于兩個相對的摻雜層之間；以及

復合高反射層，布置成反射從所述有源區發射的光，所述復合層包括：

第一層；

位于所述第一層上的一個或多個第二層以及多個第三層，所述第二層具有不同于第三層的折射率，所述第二層和第三層交替布置，并且每個第三層具有與其他的所述第三層不同的厚度；以及

位于所述第二層和第三層的最上面的反射層。

2.根據權利要求書1所述的LED芯片，其中，所述第一層具有的厚度是所述第二層和第三層的厚度的至少四倍。

3.根據權利要求書1所述的LED芯片，其中，所述第一層具有的厚度是所述第二層和第三層的厚度的至少三倍。

4.根據權利要求書1所述的LED芯片，其中，所述第一層提供一反射率視角分界，在所述反射率視角分界之上，所述復合層的反射率約為100％。

5.根據權利要求書4所述的LED芯片，其中，與不具有所述第二層和第三層的復合層相比，所述第二層和第三層在所述視角分界之下提供改進的反射率。

6.根據權利要求書1所述的LED芯片，其中，所述一個或多個第二層包括具有不同厚度的兩個層。

7.根據權利要求書1所述的LED芯片，其中，所述一個或多個第二層包括位于所述多個第三層之間的一個層。

8.根據權利要求書1所述的LED芯片，其中，所述復合層包括比具有同樣數量的層的四分之一波長的分布式布拉格反射體大的角度平均反射率。

9.根據權利要求書1所述的LED芯片，還包括穿過所述復合層的導電通孔。

10.根據權利要求書1所述的LED芯片，還包括電流擴散層，以擴散經過所述復合層的電流。

11.根據權利要求書1所述的LED芯片，其中，所述一個或多個第二層和所述多個第三層包括不完全的第二層對和第三層對。

12.根據權利要求書1所述的LED芯片，其中，所述復合層位于所述LED芯片的內部。

13.根據權利要求書1所述的LED芯片，其中，所述復合層位于所述LED芯片的外表面上。

14.根據權利要求書1所述的LED芯片，其中，所述有源層發射藍光，并且其中，所述第一層具有500nm至650nm范圍內的厚度。

15.根據權利要求書1所述的LED芯片，其中，所述有源層發射藍光，并且其中，所述一個或多個第二層包括厚度分別為100nm至120nm和約40nm至60nm范圍內的兩個層。

16.根據權利要求書1所述的LED芯片，其中，所述有源層發射藍光，并且其中，所述第三層包括厚度分別為55nm至75nm和35nm至55nm范圍內的兩個層。

17.根據權利要求書1所述的LED芯片，其中，所述第一層和所述一個或多個第二層包含SiO₂。

18.根據權利要求書1所述的LED芯片，其中，所述第三層包含TiO₂或Ta₂O₅。

19.一種發光二極管(LED)芯片，包括：

子底座，LED安裝在所述子底座上；以及

復合高反射層，布置于所述子底座和所述LED之間，以反射LED光，所述復合層包括多個層和穿過所述復合層的導電路徑，電信號能夠通過該復合層到達所述LED。

20.根據權利要求書19所述的LED芯片，其中，所述復合層包括第一層、位于所述第一層上的一個或多個第二層以及多個第三層，所述第二層具有不同于第三層的折射率，所述復合層還包括位于所述第二層和第三層的最上面的反射層。

21.根據權利要求書20所述的LED芯片，其中，所述一個或多個第二層和所述多個第三層包括不完全的第二層對和第三層對。

22.根據權利要求書20所述的LED芯片，其中，所述多個第三層包括兩個第三層，并且所述一個或多個第二層包括夾在所述兩個第三層之間的一個層。