[發(fā)明專利]用于對物體進行濕處理的設(shè)備和方法及其中所用的流體擴散板和筒體

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980149201.5
• 申請日: 2009-11-03
• 公開（公告）號: CN102246277A
• 公開（公告）日: 2011-11-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 崔恩碩;李在桓;金奉佑;劉桓守;安鎮(zhèn)佑
• 申請（專利權(quán)）人: LG矽得榮株式會社
• 主分類號: H01L21/302
• 分類號: H01L21/302;H01L21/306
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及用于物體(諸如晶圓)的濕處理(例如，清潔或者蝕刻)的設(shè)備和方法。

背景技術(shù)

一般，包括切片工藝、研磨工藝、精研工藝、蝕刻工藝和拋光工藝的一些列工藝被執(zhí)行，以生產(chǎn)用于制造半導體器件的晶圓。在以上工藝期間，晶圓的表面被各種污染物污染。代表性污染物為微粒、金屬污染物、有機污染物等。這些污染物損害了晶圓的質(zhì)量。另外，污染物成為造成半導體器件的物理缺陷和特性惡化的因素，這導致半導體器件產(chǎn)品收益率的惡化。為清除這些污染物，普遍采用采用利用酸性或堿性蝕刻流體或者去離子水的濕法清潔工藝。另外，在晶圓或半導體器件的生產(chǎn)過程中，包括各種蝕刻工藝。例如，晶圓被放入蝕刻槽中并利用蝕刻溶液進行濕法蝕刻。

隨著現(xiàn)在設(shè)計規(guī)則正在變得越來越嚴格，對于晶圓的整個表面要求更高的清潔度和平面度。另外，在一片晶圓中需要均勻的清潔度和平面度。而且，在將多個晶圓放入清潔或蝕刻槽中然后在槽中進行批量處理的情況下，在晶圓之間同樣需要均勻的清潔度和平面度。就此而言，韓國未決專利公開號2005-0002532和日本未決專利公開號2006-032640公開了一種通過將晶圓支撐在條形支撐體上并且旋轉(zhuǎn)支撐體來旋轉(zhuǎn)晶圓的同時清潔或蝕刻晶圓的方法。韓國未決專利公開號2005-0059895公開了一種通過安裝單獨的超去離子水噴射管來清潔晶圓的方法。另外，韓國未決專利公開號2003-0054732公開了一種通過在一托架下面布置具有排氣孔的管道來供應(yīng)氣體的同時蝕刻晶圓的蝕刻裝置，多個晶圓被支撐在托架上以直立于其上。韓國未決專利公開號2003-0056702公開了一種包括氣體供應(yīng)管道和多個擴散板的蝕刻裝置，所述擴散板具有多個孔并且以擴散板之間具有間隙的方式布置在上、下位置，使得從處理槽的內(nèi)部底面供應(yīng)的蝕刻溶液擴散至處理槽中的全部區(qū)域。

然而，根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)，處理槽中可能產(chǎn)生盲區(qū)，在盲區(qū)，清潔或蝕刻流體不能容易地流動或者停止。在盲區(qū)中，可能存在清潔或蝕刻過程中產(chǎn)生的雜質(zhì)或副產(chǎn)品。這些雜質(zhì)或副產(chǎn)品可能成為污染源，其再次被晶圓吸收而污染晶圓。特別地，在快速蝕刻過程中，雜質(zhì)或副產(chǎn)品可能成為產(chǎn)生很多不規(guī)則晶圓的主要因素。現(xiàn)在隨著設(shè)計規(guī)則變得更嚴格，此問題已經(jīng)變得更嚴重。

特別地，在超去離子水噴射管圍繞晶圓安裝的情況下，超去離子水僅在一個方向上噴射，并且因此，與噴射方向相反的方向上可能存在盲區(qū)。為防止發(fā)生此問題，應(yīng)當將幾個噴射管安裝在清潔槽內(nèi)，而這又導致了裝置變得巨大且復雜的問題并且還成為另一污染源。

而且，在氣體供應(yīng)管道或管路安裝在托架下面的情況下，氣體不能充分地供應(yīng)至遠距離處的區(qū)域。這可以損害清潔或蝕刻的均勻性，特別是在處理大尺寸晶圓的情況下。另外，在安裝多個擴散板的情況下，裝置的體積增大，并且蝕刻流體可能被氣流干擾，這會擾亂蝕刻流體和氣體的平穩(wěn)且均勻的流動。

發(fā)明內(nèi)容

技術(shù)問題

設(shè)計本發(fā)明以解決現(xiàn)有技術(shù)的問題，并且因此本發(fā)明的一個目的是提供一種流體擴散板和筒體(barrel)，通過消除處理槽中的盲區(qū)并且允許處理流體平穩(wěn)和均勻地流動而具有改進的處理效率和均勻度。本發(fā)明還在于提供一種使用所述流體擴散板或筒體對物體進行濕處理的設(shè)備和方法。

技術(shù)解決方案

一方面，本發(fā)明提供了一種在對物體進行濕處理的設(shè)備中使用的流體擴散板，該流體擴散板包括：由上表面、下表面和側(cè)表面限定的內(nèi)部空間；以及用于將處理流體供應(yīng)至內(nèi)部空間的流體供應(yīng)單元，其中貫穿上表面和下表面形成有多個通孔，從而所述通孔通過隔板(barrier)與內(nèi)部空間隔離，并且其中，在上表面的未形成通孔的部分中形成有穿過上表面與內(nèi)部空間連通的多個流體排放孔。

另一方面，本發(fā)明提供了一種筒體，其包括：互相平行布置的多個物體支撐桿，多個溝槽形成在物體支撐桿的表面上，使得具有平板形狀的待被處理的物體安裝成在垂直于溝槽的長度方向的方向上直立在溝槽上；兩個側(cè)板，分別用于可旋轉(zhuǎn)地安裝多個物體支撐桿的兩端；以及旋轉(zhuǎn)裝置，用于通過旋轉(zhuǎn)物體支撐桿來旋轉(zhuǎn)物體，其中，在物體支撐桿中形成有用于將處理流體噴射至物體的處理流體噴射孔和用于將處理流體供應(yīng)至處理流體噴射孔的處理流體通道。

再一方面，本發(fā)明提供了一種用于對物體進行濕處理的設(shè)備，其包括：處理槽，在處理槽中容納并處理待被處理的物體；用于容納并支撐待被處理的物體的物體支撐裝置；用于從處理槽下面的位置供應(yīng)處理流體的處理流體供應(yīng)裝置；以及權(quán)利要求1中限定的流體擴散板，該流體擴散板布置在物體支撐裝置與處理流體供應(yīng)裝置之間。