[發(fā)明專利]用于真空物理蒸汽沉積的成形陽極和陽極護(hù)罩連接

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200980149159.7
• 申請(qǐng)日: 2009-12-08
• 公開（公告）號(hào): CN102246271A
• 公開（公告）日: 2011-11-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李有明;杰弗里·比克邁爾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 富士膠片株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/203
• 分類號(hào): H01L21/203
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 朱進(jìn)桂

1.一種物理蒸汽沉積設(shè)備，包括：

真空室，所述真空室具有側(cè)壁；

陰極，所述陰極位于真空室內(nèi)部，其中所述陰極構(gòu)造為包括濺射靶體；

射頻電源，所述射頻電源被構(gòu)造為向陰極施加功率；

基底支架，所述基底支架位于真空室的內(nèi)部并與真空室的側(cè)壁電絕緣；

護(hù)罩，所述護(hù)罩位于真空室的內(nèi)部并電連接至真空室的側(cè)壁；和

陽極，所述陽極位于真空室的內(nèi)部并電連接至真空室的側(cè)壁，其中所述陽極包括：

環(huán)狀體；和

從所述環(huán)狀體向內(nèi)突出的環(huán)狀凸緣，其中所述環(huán)狀凸緣被定位為在靶體下面限定用于生成等離子體的空間體積。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的物理蒸汽沉積設(shè)備，其中環(huán)狀體包括上部和下部，并且其中上部比下部更靠近陰極。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的物理蒸汽沉積設(shè)備，其中環(huán)狀凸緣從所述下部向內(nèi)突出。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的物理蒸汽沉積設(shè)備，其中陽極的上部上方的間隙被構(gòu)造為防止等離子體形成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的物理蒸汽沉積設(shè)備，其中環(huán)狀凸緣內(nèi)的環(huán)形開口具有與基底支架近似相同的半徑。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的物理蒸汽沉積設(shè)備，其中環(huán)狀凸緣從環(huán)狀體水平地突出。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的物理蒸汽沉積設(shè)備，其中環(huán)狀凸緣從環(huán)狀體向下向內(nèi)突出。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的物理蒸汽沉積設(shè)備，其中更靠近陰極的環(huán)狀凸緣的半徑大于更遠(yuǎn)離陰極的環(huán)狀凸緣的半徑。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的物理蒸汽沉積設(shè)備，其中靶體包括鋯鈦酸鉛(″PZT″)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的物理蒸汽沉積設(shè)備，其中真空室包括至少一個(gè)真空泵。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的物理蒸汽沉積設(shè)備，還包括至少一個(gè)過程氣體控制裝置。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的物理蒸汽沉積設(shè)備，還包括至少一個(gè)壓力測(cè)量裝置。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的物理蒸汽沉積設(shè)備，其中陰極還包括構(gòu)造為結(jié)合至靶體的金屬支撐板。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的物理蒸汽沉積設(shè)備，其中陰極還包括磁控管組件。

15.一種物理蒸汽沉積設(shè)備，包括：

真空室，所述真空室具有側(cè)壁；

陰極，所述陰極位于真空室內(nèi)部，其中所述陰極構(gòu)造為包括濺射靶體；

射頻電源，所述射頻電源被構(gòu)造為向陰極施加功率；

基底支架，所述基底支架位于真空室的內(nèi)部并與真空室的側(cè)壁電絕緣；

護(hù)罩，所述護(hù)罩位于真空室的內(nèi)部并電連接至真空室的側(cè)壁；和

陽極，所述陽極位于真空室的內(nèi)部并電連接至真空室的側(cè)壁；以及

導(dǎo)電體，所述導(dǎo)電體穿過真空室直接連接陽極和護(hù)罩，該導(dǎo)電體構(gòu)造為允許氣體在陽極和護(hù)罩之間流動(dòng)。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的物理蒸汽沉積設(shè)備，其中導(dǎo)電體包括連接陽極和護(hù)罩的至少一根條帶。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的物理蒸汽沉積設(shè)備，其中導(dǎo)電體包括網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。

18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的物理蒸汽沉積設(shè)備，其中導(dǎo)電體連接在陽極的下表面和護(hù)罩的頂部之間。

19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的物理蒸汽沉積設(shè)備，其中導(dǎo)電體連接在陽極的頂部和護(hù)罩的外表面之間。

20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的物理蒸汽沉積設(shè)備，其中導(dǎo)電體在至少四個(gè)點(diǎn)連接至陽極和護(hù)罩。

21.根據(jù)權(quán)利要求15所述的物理蒸汽沉積設(shè)備，其中導(dǎo)電體包括銅。

22.根據(jù)權(quán)利要求15所述的物理蒸汽沉積設(shè)備，其中靶體包括鋯鈦酸鉛(″PZT″)。

23.根據(jù)權(quán)利要求15所述的物理蒸汽沉積設(shè)備，其中真空室包括至少一個(gè)真空泵。

24.根據(jù)權(quán)利要求15所述的物理蒸汽沉積設(shè)備，還包括至少一個(gè)過程氣體控制裝置。

25.根據(jù)權(quán)利要求15所述的物理蒸汽沉積設(shè)備，還包括至少一個(gè)壓力測(cè)量裝置。