[發明專利]用于加工用于制造太陽能電池的晶片的表面的方法及晶片

無效

• 申請號: 200980149116.9
• 申請日: 2009-12-07
• 公開（公告）號: CN102246323A
• 公開（公告）日: 2011-11-16
• 發明（設計）人: D.哈伯曼
• 申請（專利權）人: 吉布爾.施密德有限責任公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 李少丹;李家麟

1.?一種用于處理用于制造太陽能電池的晶片的表面的方法，其中在該方法之前的步驟中，在該晶片上已將抗反射及鈍化層施加于p摻雜層上了，其特征在于：在用于制造該太陽能電池的接觸部的該晶片表面上的隨后的金屬化或金屬沉積之前，在一加工步驟中處理該表面，用于鈍化或去除該抗反射及鈍化層中的干擾區域例如刮痕、缺陷部位、針孔及非均質區域中的該p摻雜層，以避免金屬沉積于這些干擾上。

2.?如權利要求1的方法，其特征在于，在蝕刻步驟中使用蝕刻溶液來執行在該干擾區域中的該晶片表面的處理，其中該蝕刻步驟優選持續多秒至多分鐘。

3.?如權利要求2的方法，其特征在于，該蝕刻溶液是H₂SO₄或H₂O₂。

4.?如權利要求2或3的方法，其特征在于，該蝕刻溶液被選擇為使得其僅以可忽略的程度侵蝕該太陽能電池的該抗反射及鈍化層或優選不損害該抗反射及鈍化層。

5.?如權利要求2至4之一的方法，其特征在于，該蝕刻溶液被選擇為使得該p摻雜層選擇性地被蝕刻，以局部去除位于該干擾區域中的該p摻雜層。

6.?如權利要求1的方法，其特征在于，為處理該干擾區域中的該晶片表面，使該晶片經受強氧化性氣體介質，必要時經受溶解于水溶液中的氧化性氣體。

7.?如權利要求6的方法，其特征在于，待處理的該晶片的表面的氧化持續時間持續幾秒至多分鐘。

8.?如權利要求6或7的方法，其特征在于，通過該強氧化性介質，氧化并鈍化該干擾區域中的該晶片表面。

9.?如上述權利要求之一的方法，其特征在于，在用于去除或鈍化該干擾區域中的該p摻雜層的步驟后，優選地利用介于其間的清洗步驟作為中間步驟來實現金屬沉積。

10.?如上述權利要求之一的方法，其特征在于，該金屬沉積是以電解方式實現，優選以Ag-LIP實現。

11.?一種用于制造太陽能電池的晶片，其特征在于，已利用如上述權利要求之一的方法處理了在p摻雜層上的、被施加至其表面的抗反射及鈍化層。