[發(fā)明專利]等離子體噴霧法以及由該方法形成的產(chǎn)品

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980149020.2
• 申請日: 2009-10-05
• 公開（公告）號: CN102239274A
• 公開（公告）日: 2011-11-09
• 發(fā)明（設計）人: S·雅吉;T·維皮奇;V·M·弗勞奇格
• 申請（專利權(quán)）人: 史密夫和內(nèi)修整形外科股份公司
• 主分類號: C23C4/06
• 分類號: C23C4/06;C23C4/08;C23C4/10;C23C4/12
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 李進;艾尼瓦爾

1.一種等離子體噴霧法，所述方法包括以下步驟：

提供第一材料；

提供第二材料；

提供等離子體來源；以及

將所述第一材料和第二材料引入到所述等離子體來源中，以便產(chǎn)生等離子體噴霧，

其中所述第二材料在等離子體中至少部分熔融并且與第一材料粘合。

2.權(quán)利要求1的方法，其中所述第二材料在等離子體中完全熔融。

3.權(quán)利要求1或2的方法，其中所述第一材料在等離子體中部分熔融。

4.權(quán)利要求1或2的方法，其中所述第一材料在等離子體中不熔融。

5.前述權(quán)利要求中任一項的方法，所述方法包括多于兩種材料。

6.權(quán)利要求5的方法，其中至少一種材料在等離子體中至少部分熔融并且與至少一種其他材料粘合。

7.權(quán)利要求6的方法，其中至少一種材料在等離子體中完全熔融并且與至少一種其他材料粘合。

8.前述權(quán)利要求中任一項的方法，其中至少一種材料包含離散顆粒。

9.前述權(quán)利要求中任一項的方法，其中至少一種材料為粉末。

10.一種等離子體噴霧法，所述方法包括以下步驟：

提供第一粉末；

提供第二粉末；

提供等離子體來源；以及

將所述第一粉末和第二粉末引入到所述等離子體中，以便產(chǎn)生等離子體噴霧，

其中所述第一粉末包含傾向于彼此不熔合的顆粒，而第二粉末包含傾向于彼此熔合的顆粒。

11.權(quán)利要求10的方法，其中所述第一粉末包含彼此不熔合的顆粒。

12.權(quán)利要求10的方法，其中所述第二粉末包含彼此熔合的顆粒。

13.權(quán)利要求10-12中任一項的方法，其中所述第二粉末包含與第一粉末顆粒熔合的顆粒。

14.一種等離子體噴霧法，所述方法包括以下步驟：

提供第一粉末；

提供第二粉末；

提供等離子體來源；以及

將所述第一粉末和第二粉末引入到所述等離子體中，以便產(chǎn)生等離子體噴霧，

其中所述第一粉末包含傾向于在等離子體內(nèi)不熔融的顆粒，而第二粉末包含傾向于在等離子體內(nèi)熔融的顆粒。

15.權(quán)利要求14的方法，其中熔融的第二粉末顆粒與第一粉末顆粒粘合。

16.權(quán)利要求14或15的方法，其中所述第一粉末包含不熔融的顆粒。

17.權(quán)利要求14-16中任一項的方法，其中所述第二粉末包含在等離子體內(nèi)全部熔融的顆粒。

18.一種等離子體噴霧法，所述方法包括以下步驟：

提供具有第一粒徑分布的第一粉末部分；

提供具有第二粒徑分布的第二粉末部分；

提供等離子體來源；以及

將所述第一粉末部分和第二粉末部分引入到所述等離子體中，以便產(chǎn)生等離子體噴霧，

其中所述第一粒徑分布大于所述第二粒徑分布。

19.一種等離子體噴霧法，所述方法包括以下步驟：

提供具有第一粒徑分布的第一粉末部分；

提供具有第二粒徑分布的第二粉末部分；

提供等離子體來源；以及

將所述第一粉末部分和第二粉末部分引入到所述等離子體中，以便產(chǎn)生等離子體噴霧，

其中第一粉末的平均粒徑大于第二粉末的平均粒徑。

20.前述權(quán)利要求中任一項的方法，所述方法還包括步驟：

提供基材；以及

將所述基材暴露于等離子體噴霧，以便在所述基材上形成敞開的多孔結(jié)構(gòu)。

21.權(quán)利要求20的方法，其中所述基材選自金屬、金屬合金、陶瓷、聚合物或其組合。

22.權(quán)利要求20或21的方法，其中所述基材選自鈦、鈦合金、鈷鉻合金、鋯、鋯合金、鎂、鎂合金、鉭、鉭合金、鉿、鉿合金、鈮、鈮合金、不銹鋼、超高分子量聚乙烯(UHMWPE)、聚芳基醚醚酮(PEEK)、聚芳基醚酮(PAEK)、聚醚酮酮(PEKK)或其組合。