[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置，半導(dǎo)體裝置的制造方法，半導(dǎo)體基板，和半導(dǎo)體基板的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980148632.X
• 申請日: 2009-11-27
• 公開（公告）號(hào): CN102239549A
• 公開（公告）日: 2011-11-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 秦雅彥;福原升;山田永;高木信一;杉山正和;竹中充;安田哲二;宮田典幸;板谷太郎;石井裕之;大竹晃浩;奈良純
• 申請（專利權(quán)）人: 住友化學(xué)株式會(huì)社;國立大學(xué)法人東京大學(xué);獨(dú)立行政法人產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所;獨(dú)立行政法人物質(zhì)·材料研究機(jī)構(gòu)
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L21/28;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78;H01L29/786;H01L29/94
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 蔣亭

1.一種半導(dǎo)體裝置，具備：

3-5族化合物半導(dǎo)體，其具有閃鋅礦型的結(jié)晶結(jié)構(gòu)；

絕緣性材料，其接觸于所述3-5族化合物半導(dǎo)體的(111)面、與所述(111)面等效的面、或具有從所述(111)面或與所述(111)面等效的面傾斜的傾斜角的面；以及

MIS型電極，其接觸于所述絕緣性材料且含有金屬傳導(dǎo)性材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

所述絕緣性材料，其接觸于所述3-5族化合物半導(dǎo)體的(111)A面、與所述(111)A面等效的面、或具有從所述(111)A面或與所述(111)A面等效的面傾斜的傾斜角的面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，具備MIS型場效應(yīng)型晶體管，所述MIS型場效應(yīng)型晶體管具有：

所述3-5族化合物半導(dǎo)體、所述絕緣性材料、所述MIS型電極以及與所述3-5族化合物半導(dǎo)體電連接的一對輸入輸出電極。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，

所述MIS型場效應(yīng)型晶體管的溝道層包含In_zGa_1-zAs_z′Sb_1-z′或In_xGa_1-xAs_yP_1-y，在In_zGa_1-zAs_z′As_z′Sb_1-z′中，0≤z≤1，0≤z′≤1，在In_xGa_1-xAs_yP_1-y中，0≤x≤1，0≤y≤1。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，所述3-5族化合物半導(dǎo)體包含N型半導(dǎo)體。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，所述3-5族化合物半導(dǎo)體包含P型半導(dǎo)體。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

所述絕緣性材料含有從Al₂O₃、Ga₂O₃、La₂O₃、AlN、GaN、SiO₂、ZrO₂、HfO₂、Hf_xSi_1-xO_y、Hf_xAl_2-xO_y、Hf_x′Si_1-x′O_y′N_2-y′及Ga_2-x″Gd_x″O₃所構(gòu)成的組中選擇的至少1種或它們的層疊體，Hf_xSi_1-xO_y中，0≤x≤1，1≤y≤2，Hf_xAl_2-xO_y中，0≤x≤2，1≤y≤3，Hf_x′Si_1-x′O_y′N_2-y′中，0≤x′≤1，1≤y′≤2，Ga_2-x″Gd_x″O₃中，0≤x″≤2。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

所述絕緣性材料包含：含Al且具有閃鋅礦型的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的3-5族化合物半導(dǎo)體，或含Al且具有閃鋅礦型的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的3-5族化合物半導(dǎo)體的氧化物。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

所述金屬傳導(dǎo)性材料，包含從由TaC、TaN、TiN、Ti、Au、W、Pt及Pd構(gòu)成的組中選擇的至少1種。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括從由Si基板、SOI基板和GOI基板構(gòu)成的組中選擇的基體基板，

所述3-5族化合物半導(dǎo)體配置于所述基體基板的一部分。