[發(fā)明專利]靜電透鏡構(gòu)件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980148233.3
• 申請日: 2009-10-01
• 公開（公告）號: CN102232237A
• 公開（公告）日: 2011-11-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 斯蒂金.W.H.K.斯廷布林克;約翰.J.康寧格;彼得.維爾特曼
• 申請（專利權(quán)）人: 邁普爾平版印刷IP有限公司
• 主分類號: H01J37/04
• 分類號: H01J37/04;H01J37/12
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳曉帆;沙捷

1.一種靜電透鏡，包括：

第一導(dǎo)電板，其配備第一孔徑；

第二導(dǎo)電板，其配備第二孔徑，所述第二孔徑與所述第一孔徑基本對準；

用于向所述第一導(dǎo)電板提供第一電壓并向所述第二導(dǎo)電板提供第二電壓的電壓電源，所述第二電壓低于所述第一電壓；以及

絕緣構(gòu)件，用于將所述第一導(dǎo)電板與所述第二導(dǎo)電板分開；

其中，所述絕緣構(gòu)件包括與所述第一導(dǎo)電板接觸的第一部分和與所述第二導(dǎo)電板接觸的第二部分，所述第一部分具有垂懸的部分，且所述第二部分具有在所述絕緣構(gòu)件的邊緣處的齒狀部分，并且其中在所述垂懸部分和所述第二導(dǎo)電板之間形成了間隙。

2.如權(quán)利要求1所述的靜電透鏡，其中所述間隙的電容率大于所述絕緣構(gòu)件的電容率。

3.如權(quán)利要求2所述的靜電透鏡，其中所述間隙的電容率比所述絕緣構(gòu)件的電容率至少大四倍。

4.如前述權(quán)利要求中的任一項所述的靜電透鏡，其中，在操作中，在所述絕緣構(gòu)件的所述垂懸部分與所述第二導(dǎo)電板之間的所述間隙中的電場強度大于跨越所述絕緣構(gòu)件的所述第二部分的電場強度。

5.如前述權(quán)利要求中的任一項所述的靜電透鏡，其中，所述絕緣構(gòu)件的所述第一部分和所述第二部分具有相等的厚度。

6.如前述權(quán)利要求中的任一項所述的靜電透鏡，其中，所述絕緣構(gòu)件的所述第一部分和所述第二部分包括被結(jié)合在一起的分離構(gòu)件。

7.如前述權(quán)利要求中的任一項所述的靜電透鏡，其中，所述絕緣構(gòu)件的面對所述第一導(dǎo)電板的表面配備有導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層與所述第一導(dǎo)電板電接觸，用于限制所述第一導(dǎo)電板與所述絕緣構(gòu)件之間的電場增強。

8.如權(quán)利要求7所述的靜電透鏡，其中使用沉積技術(shù)將所述導(dǎo)電層沉積在所述絕緣構(gòu)件的表面上。

9.如權(quán)利要求7或8所述的靜電透鏡，其中，所述導(dǎo)電層包括鉻或鉭。

10.如前述權(quán)利要求中的任一項所述的靜電透鏡，其中在所述第一導(dǎo)電板和所述第二導(dǎo)電板之間的距離在從約100μm至200μm的范圍內(nèi)。

11.如前述權(quán)利要求中的任一項所述的靜電透鏡，其中所述透鏡能夠經(jīng)受住高于10V/μm的場強而不閃絡(luò)，且更優(yōu)選地所述透鏡能夠經(jīng)受住在25V/μm-50V/μm的范圍內(nèi)的場強而不閃絡(luò)。

12.如前述權(quán)利要求中的任一項所述的靜電透鏡，其中所述絕緣構(gòu)件包括硼硅玻璃。

13.一種靜電透鏡陣列，包括多個依據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項所述的靜電透鏡。

14.如權(quán)利要求13所述的靜電透鏡陣列，其中所述絕緣構(gòu)件采取了配備有至少一個第三孔徑的絕緣板的形式，所述至少一個第三孔徑被布置成使得其側(cè)壁的投影確定多個第一孔徑和第二孔徑的界限。

15.如權(quán)利要求13所述的靜電透鏡陣列，其中所述絕緣構(gòu)件采取多個細長桿的形式，使得在鄰接桿之間存在由第一孔徑和第二孔徑形成的多條傳輸路徑。

16.一種帶電粒子子束微影系統(tǒng)，包括：

帶電粒子源，用于產(chǎn)生帶電粒子束；

孔徑陣列，用于從所述帶電粒子束生成多個子束；

子束調(diào)節(jié)系統(tǒng)，用于依據(jù)圖形調(diào)節(jié)所述多個子束；以及

如前述權(quán)利要求13-15中的任一項所述的靜電透鏡陣列，用于聚焦所述多個子束。

17.如權(quán)利要求16所述的帶電粒子子束微影系統(tǒng)，其中所述靜電透鏡陣列被定位在所述孔徑陣列和所述子束調(diào)節(jié)系統(tǒng)之間。

18.如權(quán)利要求16或17所述的帶電粒子子束微影系統(tǒng)，其中所述帶電粒子子束微影系統(tǒng)進一步包括用于支撐要形成圖形的基板的支撐單元，并且所述靜電透鏡陣列被定位在所述子束調(diào)節(jié)系統(tǒng)的下游，用于將多個經(jīng)調(diào)節(jié)的子束聚焦在所述基板的目標表面上。